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IRLL024NTRPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.065Ohm; ID 4.4A; SOT-223; PD 2.1W; VGS +/-16V

International Rectifier IRLL024NTRPBF
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制造商产品编号：
IRLL024NTRPBF
仓库库存编号：
70017816
技术数据表：
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订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRLL024NTRPBF产品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRLL024NTRPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  510 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  4.4 A  
  Dimensions  6.70 x 3.70 x 1.45 mm  
  Gate Charge, Total  10.4 nC  
  Height  0.057" (1.45mm)  
  Length  0.263" (6.7mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  SOT-223  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  2.1 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.1 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  18 ns  
  Time, Turn-On Delay  7.4 ns  
  Transconductance, Forward  3.3 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  10.4 nC @ 5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1 V  
  Voltage, Gate to Source  ±16 V  
  Width  0.146" (3.7mm)  
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Drain 4.4 A  MOSFET Transistors Current, Drain 4.4 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 4.4 A   Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm   Gate Charge, Total 10.4 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 10.4 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 10.4 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 10.4 nC   Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier Height 0.057" (1.45mm)  MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)   Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier Length 0.263" (6.7mm)  MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET 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Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V   Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V   Width 0.146" (3.7mm)  International Rectifier Width 0.146" (3.7mm)  MOSFET Transistors Width 0.146" (3.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.146" (3.7mm)  
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