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IRLML0060TRPBF - 

IRLML0060TRPBF N-channel MOSFET Transistor, 2.7 A, 60 V, 3-Pin SOT-23

International Rectifier IRLML0060TRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRLML0060TRPBF
仓库库存编号：
70019836
技术数据表：
View IRLML0060TRPBF Datasheet Datasheet
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRLML0060TRPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET up to 7A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRLML0060TRPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  290 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  2.7 A  
  Dimensions  3.04 x 1.40 x 1.02 mm  
  Height  0.04" (1.02mm)  
  Length  0.119" (3.04mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  Micro8  
  Power Dissipation  1.25 W  
  Resistance, Drain to Source On  92 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  6.8 ns  
  Time, Turn-On Delay  5.4 ns  
  Transconductance, Forward  7.6 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  2.5 nC @ 4.5 V  
  Voltage, Drain to Source  60 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±16 V  
  Width  0.055" (1.4mm)  
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Drain 2.7 A  MOSFET Transistors Current, Drain 2.7 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 2.7 A   Dimensions 3.04 x 1.40 x 1.02 mm  International Rectifier Dimensions 3.04 x 1.40 x 1.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.04 x 1.40 x 1.02 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 3.04 x 1.40 x 1.02 mm   Height 0.04" (1.02mm)  International Rectifier Height 0.04" (1.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.04" (1.02mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.04" (1.02mm)   Length 0.119" (3.04mm)  International Rectifier Length 0.119" (3.04mm)  MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type Micro8  International Rectifier Package Type Micro8  MOSFET Transistors Package Type Micro8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type Micro8   Power Dissipation 1.25 W  International Rectifier Power Dissipation 1.25 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 1.25 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 1.25 W   Resistance, Drain to Source On 92 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 92 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 92 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 92 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 6.8 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 6.8 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 6.8 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 6.8 ns   Time, Turn-On Delay 5.4 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 5.4 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.4 ns  International 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Rectifier Voltage, Gate to Source ±16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V   Width 0.055" (1.4mm)  International Rectifier Width 0.055" (1.4mm)  MOSFET Transistors Width 0.055" (1.4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.055" (1.4mm)  
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