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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	633 pF @ -10 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Single
Current, Drain	-2.2 A
Dimensions	3.04 x 1.40 x 1.02 mm
Gate Charge, Total	8 nC
Height	0.04" (1.02mm)
Length	0.119" (3.04mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	Micro3
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	1.3 W
Resistance, Drain to Source On	0.135 Ω
Resistance, Thermal, Junction to Case	100 °C/W
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	588 ns
Time, Turn-On Delay	350 ns
Transconductance, Forward	6 S
Typical Gate Charge @ Vgs	8 nC @ -5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-20 V
Voltage, Drain to Source	-20 V
Voltage, Forward, Diode	-1.2 V
Voltage, Gate to Source	± 12 V
Width	0.055" (1.4mm)
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• FTDI
  FT232RL-REEL, USB Controller, 3MBd, USB2.0, 1.8 - 5.25 V, 28-Pin SSOP
  
  型号：FT232RL-REEL
  仓库库存编号：70069389
  
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• 搜索

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• Eaton / Switches
  Switch, Toggle, 1PST, On-None-Off, .250Spade Terminals, 20 Amps @ 125VAC
  
  型号：XTD1A1A2
  仓库库存编号：70155633
  
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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 633 pF @ -10 V  International Rectifier Capacitance, Input 633 pF @ -10 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 633 pF @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 633 pF @ -10 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type P  International Rectifier Channel Type P  MOSFET Transistors Channel Type P  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type P   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain -2.2 A  International Rectifier Current, Drain -2.2 A  MOSFET Transistors Current, Drain -2.2 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -2.2 A   Dimensions 3.04 x 1.40 x 1.02 mm  International Rectifier Dimensions 3.04 x 1.40 x 1.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.04 x 1.40 x 1.02 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 3.04 x 1.40 x 1.02 mm   Gate Charge, Total 8 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 8 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 8 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 8 nC   Height 0.04" (1.02mm)  International Rectifier Height 0.04" (1.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.04" (1.02mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.04" (1.02mm)   Length 0.119" (3.04mm)  International Rectifier Length 0.119" (3.04mm)  MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type Micro3  International Rectifier Package Type Micro3  MOSFET Transistors Package Type Micro3  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type Micro3   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 1.3 W  International Rectifier Power Dissipation 1.3 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 1.3 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 1.3 W   Resistance, Drain to Source On 0.135 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.135 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.135 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.135 Ω   Resistance, Thermal, Junction to Case 100 °C/W  International Rectifier Resistance, Thermal, Junction to Case 100 °C/W  MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 100 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 100 °C/W   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 588 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 588 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 588 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 588 ns   Time, Turn-On Delay 350 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 350 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 350 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 350 ns   Transconductance, Forward 6 S  International Rectifier Transconductance, Forward 6 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 6 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 6 S   Typical Gate Charge @ Vgs 8 nC @ -5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 8 nC @ -5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 8 nC @ -5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 8 nC @ -5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -20 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -20 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -20 V   Voltage, Drain to Source -20 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -20 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -20 V   Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V   Voltage, Gate to Source ± 12 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 12 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 12 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 12 V   Width 0.055" (1.4mm)  International Rectifier Width 0.055" (1.4mm)  MOSFET Transistors Width 0.055" (1.4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.055" (1.4mm)