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HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	800 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Current, Drain	17 A
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Height	0.094" (2.39mm)
Length	0.264" (6.73mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Power Dissipation	79 W
Resistance, Drain to Source On	0.155 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	30 ns
Time, Turn-On Delay	7.2 ns
Transconductance, Forward	7.7 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 34 nC @ 5 V
Voltage, Drain to Source	100 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±16 V
Width	0.245" (6.22mm)
关键词

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Rectifier Current, Drain 17 A  MOSFET Transistors Current, Drain 17 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 17 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Height 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Power Dissipation 79 W  International Rectifier Power Dissipation 79 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 79 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 79 W   Resistance, Drain to Source On 0.155 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.155 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.155 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.155 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 30 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 30 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 30 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 30 ns   Time, Turn-On Delay 7.2 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 7.2 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.2 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.2 ns   Transconductance, Forward 7.7 S  International Rectifier Transconductance, Forward 7.7 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 7.7 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 7.7 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 34 nC @ 5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 34 nC @ 5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 34 nC @ 5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 34 nC @ 5 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)