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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	740 pF @ 50 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	380 A
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.26 mm
Gate Charge, Total	28 nC
Height	0.089" (2.26mm)
Length	0.264" (6.73mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	79 W
Resistance, Drain to Source On	65 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-40 °C
Temperature, Operating, Range	-40 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	23 ns
Time, Turn-On Delay	5.7 ns
Transconductance, Forward	8.8 sec
Typical Gate Charge @ Vgs	28 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Voltage, Drain to Source	40 V
Voltage, Forward, Diode	1.2 V
Voltage, Gate to Source	± 20 V
Width	0.245" (6.22mm)
关键词

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Drain 380 A  MOSFET Transistors Current, Drain 380 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 380 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.26 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.26 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.26 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.26 mm   Gate Charge, Total 28 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 28 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 28 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 28 nC   Height 0.089" (2.26mm)  International Rectifier Height 0.089" (2.26mm)  MOSFET Transistors Height 0.089" (2.26mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.089" (2.26mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 79 W  International Rectifier Power Dissipation 79 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 79 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 79 W   Resistance, Drain to Source On 65 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 65 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 65 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 65 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -40 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -40 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -40 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -40 °C   Temperature, Operating, Range -40 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -40 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -40 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -40 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 23 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 23 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 23 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 23 ns   Time, Turn-On Delay 5.7 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 5.7 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.7 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.7 ns   Transconductance, Forward 8.8 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 8.8 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 8.8 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 8.8 sec   Typical Gate Charge @ Vgs 28 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 28 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 28 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 28 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 40 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 40 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 40 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 40 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)