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N-Channel Power MOSFET 60A to 79A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1030 pF @ 15 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	65 A
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.26 mm
Gate Charge, Total	10 nC
Height	0.089" (2.26mm)
Length	0.264" (6.73mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	75 W
Resistance, Drain to Source On	12.5 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	10 ns
Time, Turn-On Delay	11 ns
Transconductance, Forward	46 sec
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Voltage, Drain to Source	30 V
Voltage, Forward, Diode	1 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.245" (6.22mm)
关键词

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Drain 65 A  MOSFET Transistors Current, Drain 65 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 65 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.26 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.26 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.26 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.26 mm   Gate Charge, Total 10 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 10 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 10 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 10 nC   Height 0.089" (2.26mm)  International Rectifier Height 0.089" (2.26mm)  MOSFET Transistors Height 0.089" (2.26mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.089" (2.26mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 75 W  International Rectifier Power Dissipation 75 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 75 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 75 W   Resistance, Drain to Source On 12.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 12.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 12.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 12.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 10 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 10 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 10 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 10 ns   Time, Turn-On Delay 11 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 11 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns   Transconductance, Forward 46 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 46 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 46 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 46 sec   Typical Gate Charge @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 10 nC @ 4.5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V   Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V   Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)