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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1870 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	61 A
Dimensions	6.73 x 2.39 x 6.22 mm
Height	0.245" (6.22mm)
Length	0.264" (6.73mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	I-PAK
Power Dissipation	120 W
Resistance, Drain to Source On	17 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	83 ns
Time, Turn-On Delay	7.4 ns
Transconductance, Forward	42 S
Typical Gate Charge @ Vgs	61 nC @ 10 V
Voltage, Drain to Source	55 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	± 16 V
Width	0.094" (2.39mm)
关键词

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Drain 61 A  MOSFET Transistors Current, Drain 61 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 61 A   Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm   Height 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Height 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Height 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.245" (6.22mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type I-PAK  International Rectifier Package Type I-PAK  MOSFET Transistors Package Type I-PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type I-PAK   Power Dissipation 120 W  International Rectifier Power Dissipation 120 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 120 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 120 W   Resistance, Drain to Source On 17 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 17 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 17 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 17 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET 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Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.4 ns   Transconductance, Forward 42 S  International Rectifier Transconductance, Forward 42 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 42 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 42 S   Typical Gate Charge @ Vgs 61 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 61 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 61 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 61 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 16 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 16 V   Width 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Width 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Width 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.094" (2.39mm)