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SI2301BDS-T1-E3 - 

MOSFET; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.08Ohm; ID -2.2A; TO-236 (SOT-23); PD 0.7W; VGS +/-8V

Siliconix / Vishay SI2301BDS-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SI2301BDS-T1-E3
仓库库存编号：
70026063
技术数据表：
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订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI2301BDS-T1-E3产品概述

Features:
  • Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition
  • TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated
  • Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life
  • New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

    Applications:
  • Load/Power Switching in Portable Devices

    • SI2301BDS-T1-E3产品信息

      Brand/Series  SI23 Series  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  P  
      Configuration  Single  
      Current, Drain  -2.2 A  
      Gate Charge, Total  4.5 nC  
      Height  0.04" (1.02mm)  
      Length  0.119" (3.04mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  3  
      Package Type  TO-236  
      Polarization  P-Channel  
      Power Dissipation  0.7 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.15 Ω  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Time, Turn-Off Delay  30 ns  
      Time, Turn-On Delay  20 ns  
      Transconductance, Forward  6.5 S  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  -20 V  
      Voltage, Forward, Diode  -0.8 V  
      Voltage, Gate to Source  ±8 V  
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