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IRF610PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 1.5 Ohms; ID 3.3A; TO-220AB; PD 36W; VGS +/-20V

Vishay PCS IRF610PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF610PBF
仓库库存编号：
70078852
技术数据表：
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IRF610PBF产品信息

  Brand/Series  IRF Series  
  Capacitance, Input  140 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  3.3 A  
  Dimensions  10.51 x 4.65 x 15.49 mm  
  Gate Charge, Total  8.2 nC  
  Height  0.61" (15.49mm)  
  Length  0.413" (10.51mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  36 W  
  Resistance, Drain to Source On  1.5 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  14 ns  
  Time, Turn-On Delay  8.2 ns  
  Transconductance, Forward  0.8 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 8.2 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.183" (4.65mm)  
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PCS Dimensions 10.51 x 4.65 x 15.49 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.51 x 4.65 x 15.49 mm  Vishay PCS MOSFET Transistors Dimensions 10.51 x 4.65 x 15.49 mm   Gate Charge, Total 8.2 nC  Vishay PCS Gate Charge, Total 8.2 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 8.2 nC  Vishay PCS MOSFET Transistors Gate Charge, Total 8.2 nC   Height 0.61" (15.49mm)  Vishay PCS Height 0.61" (15.49mm)  MOSFET Transistors Height 0.61" (15.49mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Height 0.61" (15.49mm)   Length 0.413" (10.51mm)  Vishay PCS Length 0.413" (10.51mm)  MOSFET Transistors Length 0.413" (10.51mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Length 0.413" (10.51mm)   Mounting Type Through Hole  Vishay PCS Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  Vishay PCS MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  Vishay PCS Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  Vishay PCS Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  Vishay PCS MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  Vishay PCS Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  Vishay PCS MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 36 W  Vishay PCS Power Dissipation 36 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 36 W  Vishay PCS MOSFET Transistors Power Dissipation 36 W   Resistance, Drain to Source On 1.5 Ω  Vishay PCS Resistance, Drain to Source On 1.5 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 1.5 Ω  Vishay PCS MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 1.5 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 14 ns  Vishay PCS Time, Turn-Off Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 14 ns  Vishay PCS MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 14 ns   Time, Turn-On Delay 8.2 ns  Vishay PCS Time, Turn-On Delay 8.2 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8.2 ns  Vishay PCS MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8.2 ns   Transconductance, Forward 0.8 S  Vishay PCS Transconductance, Forward 0.8 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 0.8 S  Vishay PCS MOSFET Transistors Transconductance, Forward 0.8 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 8.2 nC @ 10 V  Vishay PCS Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 8.2 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 8.2 nC @ 10 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 8.2 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  Vishay PCS Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V   Voltage, Drain to Source 200 V  Vishay PCS Voltage, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V   Voltage, Forward, Diode 2 V  Vishay PCS Voltage, Forward, Diode 2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 2 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 2 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  Vishay PCS Voltage, Gate to 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