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IRF820SPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 500V; RDS(ON) 3 Ohms; ID 2.5A; SMD-220; PD 50W; VGS +/-20V

Vishay PCS IRF820SPBF
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制造商产品编号:
IRF820SPBF
仓库库存编号:
70078863
技术数据表:
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF820SPBF
库存编号:IRF820SPBF-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK0
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IRF820STRLPBF
库存编号:844-IRF820STRLPBF
Vishay Intertechnologies MOSFETs N-Chan 500V 2.5 Amp762
1起订
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100+
800+
2400+
¥31.56
¥20.21
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¥8.84
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IRF820STRLPBF
库存编号:IRF820STRLPBF
Vishay Intertechnologies MOSFETs N-Chan 500V 2.5 Amp0
800起订
800+
2400+
¥12.64
¥12.37
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IRF820SPBF
库存编号:IRF820SPBF
Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 500V, 2.5A, Idm: 8A, 50W0
1起订
1+
10+
50+
250+
1000+
¥10.84
¥9.31
¥8.24
¥7.39
¥6.89
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IRF820SPBF Vishay Siliconix POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.5A I(D), 500V, 3OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB34
1起订
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4+
20+
¥26.52
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1-3周购买 购买
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IRF820SPBF Vishay Intertechnologies POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.5A I(D), 500V, 3OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB20
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4+
14+
¥36.58
¥29.26
¥18.29
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IRF820SPBF产品信息

  Brand/Series  IRF Series  
  Capacitance, Input  360 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  2.5 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Gate Charge, Total  24 nC  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  50 W  
  Resistance, Drain to Source On  3 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  33 ns  
  Time, Turn-On Delay  8 ns  
  Transconductance, Forward  1.5 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 24 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  500 V  
  Voltage, Drain to Source  500 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.6 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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IRF820SPBF相关搜索

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PCS Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  Vishay PCS MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 24 nC  Vishay PCS Gate Charge, Total 24 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 24 nC  Vishay PCS MOSFET Transistors Gate Charge, Total 24 nC   Height 0.19" (4.83mm)  Vishay PCS Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  Vishay PCS Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  Vishay PCS Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  Vishay PCS MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  Vishay PCS Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  Vishay PCS Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  Vishay PCS MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Polarization N-Channel  Vishay PCS Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  Vishay PCS MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 50 W  Vishay PCS Power Dissipation 50 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 50 W  Vishay PCS MOSFET Transistors Power Dissipation 50 W   Resistance, Drain to Source On 3 Ω  Vishay PCS Resistance, Drain to Source On 3 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 3 Ω  Vishay PCS MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 3 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 33 ns  Vishay PCS Time, Turn-Off Delay 33 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 33 ns  Vishay PCS MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 33 ns   Time, Turn-On Delay 8 ns  Vishay PCS Time, Turn-On Delay 8 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8 ns  Vishay PCS MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8 ns   Transconductance, Forward 1.5 S  Vishay PCS Transconductance, Forward 1.5 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 1.5 S  Vishay PCS MOSFET Transistors Transconductance, Forward 1.5 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 24 nC @ 10 V  Vishay PCS Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 24 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 24 nC @ 10 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 24 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 500 V  Vishay PCS Voltage, Breakdown, Drain to Source 500 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 500 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 500 V   Voltage, Drain to Source 500 V  Vishay PCS Voltage, Drain to Source 500 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 500 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 500 V   Voltage, Forward, Diode 1.6 V  Vishay PCS Voltage, Forward, Diode 1.6 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.6 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.6 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  Vishay PCS Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  Vishay PCS Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  
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型号 制造商 描述 操作
IRF820SPBF
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF820SPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp

RoHS: Compliant

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IRF820S
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp

RoHS: Not compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRF820SPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: No

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IRF820SPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Bulk (Alt: IRF820SPBF)

RoHS: Not Compliant

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IRF820SPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

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IRF820SPBF
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Vishay Semiconductors

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 500V, RDS(ON) 3 Ohms, ID 2.5A, SMD-220, PD 50W, VGS +/-20V

RoHS: Compliant

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IRF820SPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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Vishay Siliconix - IRF820SPBF - MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK

型号:IRF820SPBF
仓库库存编号:IRF820SPBF-ND
别名:*IRF820SPBF <br>

无铅
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Vishay PCS - IRF820SPBF - VGS +/-20V PD 50W SMD-220 ID 2.5A RDS(ON) 3 Ohms VDSS 500V N-Ch MOSFET, Power|70078863 | ChuangWei Electronics
Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 500V; RDS(ON) 3 Ohms; ID 2.5A; SMD-220; PD 50W; VGS +/-20V


型号:IRF820SPBF
仓库库存编号:70078863

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IRF820SPBF|VISHAYIRF820SPBF
VISHAY
单 N沟道 150 V 3 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - D2PAK-3
Rohs

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VISHAY
单 N沟道 150 V 3 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - D2PAK-3
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MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
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