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IRFBC30PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 600V; RDS(ON) 2.2 Ohms; ID 3.6A; TO-220AB; PD 74W; VGS +/-20V

Vishay PCS IRFBC30PBF
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制造商产品编号：
IRFBC30PBF
仓库库存编号：
70078883
技术数据表：
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IRFBC30PBF产品信息

  Brand/Series  IRF Series  
  Capacitance, Input  660 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  3.6 A  
  Dimensions  10.51 x 4.65 x 15.49 mm  
  Gate Charge, Total  31 nC  
  Height  0.61" (15.49mm)  
  Length  0.413" (10.51mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  74 W  
  Resistance, Drain to Source On  2.2 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  35 ns  
  Time, Turn-On Delay  11 ns  
  Transconductance, Forward  2.5 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 31 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  600 V  
  Voltage, Drain to Source  600 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.6 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.183" (4.65mm)  
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PCS Dimensions 10.51 x 4.65 x 15.49 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.51 x 4.65 x 15.49 mm  Vishay PCS MOSFET Transistors Dimensions 10.51 x 4.65 x 15.49 mm   Gate Charge, Total 31 nC  Vishay PCS Gate Charge, Total 31 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 31 nC  Vishay PCS MOSFET Transistors Gate Charge, Total 31 nC   Height 0.61" (15.49mm)  Vishay PCS Height 0.61" (15.49mm)  MOSFET Transistors Height 0.61" (15.49mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Height 0.61" (15.49mm)   Length 0.413" (10.51mm)  Vishay PCS Length 0.413" (10.51mm)  MOSFET Transistors Length 0.413" (10.51mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Length 0.413" (10.51mm)   Mounting Type Through Hole  Vishay PCS Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  Vishay PCS MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  Vishay PCS Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  Vishay PCS Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  Vishay PCS MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  Vishay PCS Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  Vishay PCS MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 74 W  Vishay PCS Power Dissipation 74 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 74 W  Vishay PCS MOSFET Transistors Power Dissipation 74 W   Resistance, Drain to Source On 2.2 Ω  Vishay PCS Resistance, Drain to Source On 2.2 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.2 Ω  Vishay PCS MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.2 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 35 ns  Vishay PCS Time, Turn-Off Delay 35 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 35 ns  Vishay PCS MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 35 ns   Time, Turn-On Delay 11 ns  Vishay PCS Time, Turn-On Delay 11 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns  Vishay PCS MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns   Transconductance, Forward 2.5 S  Vishay PCS Transconductance, Forward 2.5 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2.5 S  Vishay PCS MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2.5 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 31 nC @ 10 V  Vishay PCS Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 31 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 31 nC @ 10 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 31 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 600 V  Vishay PCS Voltage, Breakdown, Drain to Source 600 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 600 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 600 V   Voltage, Drain to Source 600 V  Vishay PCS Voltage, Drain to Source 600 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 600 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 600 V   Voltage, Forward, Diode 1.6 V  Vishay PCS Voltage, Forward, Diode 1.6 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.6 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.6 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  Vishay PCS Voltage, Gate to Source ±20 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IRFBC30PBF
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MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB

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MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp

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MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp

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Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRFBC30PBF)

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Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRFBC30PBF
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Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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N CHANNEL MOSFET, 600V, 3.6A TO-220

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Single N-Channel 600 V 2.2 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFBC30PBF
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IRFBC30PBF N-channel MOSFET Transistor, 3.6 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB

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IRFBC30PBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 600V, RDS(ON) 2.2 Ohms, ID 3.6A, TO-220AB, PD 74W, VGS +/-20V

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MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IRFBC30PBF
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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 74 W

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Vishay Siliconix - IRFBC30PBF - MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB

型号：IRFBC30PBF
仓库库存编号：IRFBC30PBF-ND
别名：*IRFBC30PBF <br>

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无图IRFBC30PBF
VISHAY		单 N 沟道 600 V 2.2 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB
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IRFBC30PBF|Vishay SiliconixIRFBC30PBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
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Siliconix / Vishay - IRFBC30PBF - 3-Pin TO-220AB 600 V 3.6 A IRFBC30PBF N-channel MOSFET Transistor|70459435 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
IRFBC30PBF N-channel MOSFET Transistor, 3.6 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB

型号：IRFBC30PBF
仓库库存编号：70459435

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Vishay PCS - IRFBC30PBF - VGS +/-20V PD 74W TO-220AB ID 3.6A RDS(ON) 2.2 Ohms VDSS 600V N-Ch MOSFET, Power|70078883 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 600V; RDS(ON) 2.2 Ohms; ID 3.6A; TO-220AB; PD 74W; VGS +/-20V

型号：IRFBC30PBF
仓库库存编号：70078883

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Vishay - IRFBC30PBF - Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC30PBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRFBC30PBF
品牌：
Vishay
库存编号：
542-9507
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IRFBC30PBF
VISHAY IRFBC30PBF		1351008

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFBC30PBF|VISHAYIRFBC30PBF
VISHAY		单 N 沟道 600 V 2.2 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB
Rohs

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IRFBC30PBF|Vishay SiliconixIRFBC30PBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
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Vishay - IRFBC30PBF - MOSFET N, 600 V 3.6 A 74 W TO-220, IRFBC30PBF, Vishay		Vishay
MOSFET N, 600 V 3.6 A 74 W TO-220, IRFBC30PBF, Vishay

型号：IRFBC30PBF
仓库库存编号：171-15-227

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电话:400-900-3095
QQ:800152669
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