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IRFI644GPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 250V; RDS(ON) 0.28Ohm; ID 7.9A; TO-220 Full-Pak; PD 40W

Vishay PCS IRFI644GPBF
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制造商产品编号：
IRFI644GPBF
仓库库存编号：
70078904
技术数据表：
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IRFI644GPBF产品信息

  Brand/Series  IRF Series  
  Capacitance, Input  1300 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  7.9 A  
  Dimensions  10.63 x 4.83 x 16.12 mm  
  Gate Charge, Total  68 nC  
  Height  0.635" (16.12mm)  
  Length  0.418" (10.63mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  40 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.28 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  53 ns  
  Time, Turn-On Delay  11 ns  
  Transconductance, Forward  6 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 68 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  250 V  
  Voltage, Drain to Source  250 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.8 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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Brand/Series IRF Series  Vishay PCS Brand/Series IRF Series  MOSFET Transistors Brand/Series IRF Series  Vishay PCS MOSFET Transistors Brand/Series IRF Series   Capacitance, Input 1300 pF @ 25 V  Vishay PCS Capacitance, Input 1300 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 1300 pF @ 25 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Capacitance, Input 1300 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  Vishay PCS Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  Vishay PCS MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  Vishay PCS Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  Vishay PCS MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  Vishay PCS Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  Vishay PCS MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 7.9 A  Vishay PCS Current, Drain 7.9 A  MOSFET Transistors Current, Drain 7.9 A  Vishay PCS MOSFET Transistors Current, Drain 7.9 A   Dimensions 10.63 x 4.83 x 16.12 mm  Vishay PCS Dimensions 10.63 x 4.83 x 16.12 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.63 x 4.83 x 16.12 mm  Vishay PCS MOSFET Transistors Dimensions 10.63 x 4.83 x 16.12 mm   Gate Charge, Total 68 nC  Vishay PCS Gate Charge, Total 68 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 68 nC  Vishay PCS MOSFET Transistors Gate Charge, Total 68 nC   Height 0.635" (16.12mm)  Vishay PCS Height 0.635" (16.12mm)  MOSFET Transistors Height 0.635" (16.12mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Height 0.635" (16.12mm)   Length 0.418" (10.63mm)  Vishay PCS Length 0.418" (10.63mm)  MOSFET Transistors Length 0.418" (10.63mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Length 0.418" (10.63mm)   Mounting Type Through Hole  Vishay PCS Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  Vishay PCS MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  Vishay PCS Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220  Vishay PCS Package Type TO-220  MOSFET Transistors Package Type TO-220  Vishay PCS MOSFET Transistors Package Type TO-220   Polarization N-Channel  Vishay PCS Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  Vishay PCS MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 40 W  Vishay PCS Power Dissipation 40 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 40 W  Vishay PCS MOSFET Transistors Power Dissipation 40 W   Resistance, Drain to Source On 0.28 Ω  Vishay PCS Resistance, Drain to Source On 0.28 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.28 Ω  Vishay PCS MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.28 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 53 ns  Vishay PCS Time, Turn-Off Delay 53 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 53 ns  Vishay PCS MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 53 ns   Time, Turn-On Delay 11 ns  Vishay PCS Time, Turn-On Delay 11 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns  Vishay PCS MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns   Transconductance, Forward 6 S  Vishay PCS Transconductance, Forward 6 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 6 S  Vishay PCS MOSFET Transistors Transconductance, Forward 6 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 68 nC @ 10 V  Vishay PCS Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 68 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 68 nC @ 10 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 68 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 250 V  Vishay PCS Voltage, Breakdown, Drain to Source 250 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 250 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 250 V   Voltage, Drain to Source 250 V  Vishay PCS Voltage, Drain to Source 250 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 250 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 250 V   Voltage, Forward, Diode 1.8 V  Vishay PCS Voltage, Forward, Diode 1.8 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.8 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.8 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  Vishay PCS Voltage, Gate to Source ±20 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MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP

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MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp

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Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak

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Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak - Bulk (Alt: IRFI644GPBF)

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N CHANNEL MOSFET, 250V, 7.9A, TO-220FP

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Single N-Channel 250 V 0.28 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP

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IRFI644GPBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 250V, RDS(ON) 0.28Ohm, ID 7.9A, TO-220 Full-Pak, PD 40W

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MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IRFI644GPBF|VISHAYIRFI644GPBF
VISHAY		单 N 沟道 250 V 0.28 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220FP
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Vishay PCS - IRFI644GPBF - PD 40W TO-220 Full-Pak ID 7.9A RDS(ON) 0.28Ohm VDSS 250V N-Ch MOSFET, Power|70078904 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 250V; RDS(ON) 0.28Ohm; ID 7.9A; TO-220 Full-Pak; PD 40W

型号：IRFI644GPBF
仓库库存编号：70078904

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IRFI644GPBF|Vishay SiliconixIRFI644GPBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
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Vishay Siliconix - IRFI644GPBF - MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3

型号：IRFI644GPBF
仓库库存编号：IRFI644GPBF-ND
别名：*IRFI644GPBF <br>

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IRFI644GPBF
VISHAY IRFI644GPBF		1351049

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道

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Vishay - IRFI644GPBF - MOSFET N, 250 V 7.9 A 40 W TO-220, IRFI644GPBF, Vishay		Vishay
MOSFET N, 250 V 7.9 A 40 W TO-220, IRFI644GPBF, Vishay

型号：IRFI644GPBF
仓库库存编号：171-16-577

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Vishay - IRFI644GPBF - Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFI644GPBF, 7.9 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
制造商零件编号：
IRFI644GPBF
品牌：
Vishay
库存编号：
542-9670
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无图IRFI644GPBF
VISHAY		单 N 沟道 250 V 0.28 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220FP
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IRFI644GPBF|Vishay SiliconixIRFI644GPBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
Rohs

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IRFI644GPBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRFI644GPBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N TO-220FP 250V 7.9A
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