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Brand/Series	IRF Series
Capacitance, Input	490 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	5 A
Dimensions	6.73 x 2.39 x 6.22 mm
Gate Charge, Total	24 nC
Height	0.245" (6.22mm)
Length	0.264" (6.73mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	I-PAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	110 W
Resistance, Drain to Source On	1.7 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	17 ns
Time, Turn-On Delay	8.7 ns
Transconductance, Forward	2.3 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 24 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	500 V
Voltage, Drain to Source	500 V
Voltage, Forward, Diode	1.5 V
Voltage, Gate to Source	±30 V
Width	0.094" (2.39mm)
关键词

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2.39 x 6.22 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  Vishay PCS MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm   Gate Charge, Total 24 nC  Vishay PCS Gate Charge, Total 24 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 24 nC  Vishay PCS MOSFET Transistors Gate Charge, Total 24 nC   Height 0.245" (6.22mm)  Vishay PCS Height 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Height 0.245" (6.22mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Height 0.245" (6.22mm)   Length 0.264" (6.73mm)  Vishay PCS Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Through Hole  Vishay PCS Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  Vishay PCS MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  Vishay PCS Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type I-PAK  Vishay PCS Package Type I-PAK  MOSFET Transistors Package Type I-PAK  Vishay PCS MOSFET Transistors Package Type I-PAK   Polarization N-Channel  Vishay PCS Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  Vishay PCS MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 110 W  Vishay PCS Power Dissipation 110 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 110 W  Vishay PCS MOSFET Transistors Power Dissipation 110 W   Resistance, Drain to Source On 1.7 Ω  Vishay PCS Resistance, Drain to Source On 1.7 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 1.7 Ω  Vishay PCS MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 1.7 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 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Forward 2.3 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 24 nC @ 10 V  Vishay PCS Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 24 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 24 nC @ 10 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 24 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 500 V  Vishay PCS Voltage, Breakdown, Drain to Source 500 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 500 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 500 V   Voltage, Drain to Source 500 V  Vishay PCS Voltage, Drain to Source 500 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 500 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 500 V   Voltage, Forward, Diode 1.5 V  Vishay PCS Voltage, Forward, Diode 1.5 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.5 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.5 V   Voltage, Gate to Source ±30 V  Vishay PCS Voltage, Gate to Source ±30 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to 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