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Brand/Series	IRF Series
Capacitance, Input	2400 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	50 A
Dimensions	10.51 x 4.65 x 15.49 mm
Gate Charge, Total	110 nC
Height	0.61" (15.49mm)
Length	0.413" (10.51mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	190 W
Resistance, Drain to Source On	0.018 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	210 ns
Time, Turn-On Delay	8.1 ns
Transconductance, Forward	27 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 110 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V
Voltage, Drain to Source	60 V
Voltage, Forward, Diode	2 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.183" (4.65mm)
关键词

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Chip 1   Number of Pins 3  Vishay PCS Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  Vishay PCS Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  Vishay PCS MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  Vishay PCS Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  Vishay PCS MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 190 W  Vishay PCS Power Dissipation 190 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 190 W  Vishay PCS MOSFET Transistors Power Dissipation 190 W   Resistance, Drain to Source On 0.018 Ω  Vishay PCS Resistance, Drain to Source On 0.018 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.018 Ω  Vishay PCS MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.018 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  Vishay 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Forward 27 S  Vishay PCS MOSFET Transistors Transconductance, Forward 27 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 110 nC @ 10 V  Vishay PCS Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 110 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 110 nC @ 10 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 110 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 60 V  Vishay PCS Voltage, Breakdown, Drain to Source 60 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 60 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 60 V   Voltage, Drain to Source 60 V  Vishay PCS Voltage, Drain to Source 60 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V   Voltage, Forward, Diode 2 V  Vishay PCS Voltage, Forward, Diode 2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 2 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 2 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  Vishay PCS Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.183" (4.65mm)  Vishay PCS Width 0.183" (4.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.183" (4.65mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Width 0.183" (4.65mm)