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IRF3205ZPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 4.9Milliohms; ID 110A; TO-220AB; PD 170W; -55de

International Rectifier IRF3205ZPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF3205ZPBF
仓库库存编号：
70016921
技术数据表：
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IRF3205ZPBF产品概述

Power MOSFET, Pulsed Drain Current 440 A, Input Capacitance 3450 pF
  • Advanced process technology
  • Ultra low on-resistance
  • 150 °C operating temperature
  • Fast switching
  • Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
  • Lead-free
    Specifically designed for automotive applications, this HEXFET® power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 °C junction operating temperature

    • IRF3205ZPBF产品信息

      Application  For automotive applications  
      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  3450 pF @ 25 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Single  
      Current, Drain  110 A  
      Dimensions  10.67 x 4.83 x 9.02 mm  
      Fall Time  67 ns (Typ.)  
      Gate Charge, Total  76 nC  
      Height  0.355" (9.02mm)  
      Length  0.42" (10.67mm)  
      Mounting Type  Through Hole  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  3  
      Operating and Storage Temperature  -55 to +175 °C (Max.)  
      Package Type  TO-220AB  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  170 W  
      Resistance, Drain to Source On  6.5 mΩ  
      Resistance, Thermal, Junction to Case  0.90 °C?W (Max.)  
      Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
      Thermal Resistance, Junction to Ambient  62 °C⁄W  
      Time, Turn-Off Delay  45 ns  
      Time, Turn-On Delay  18 ns  
      Transconductance, Forward  71 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  76 nC @ 10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.19" (4.83mm)  
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Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 110 A  International Rectifier Current, Drain 110 A  MOSFET Transistors Current, Drain 110 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 110 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm   Fall Time 67 ns (Typ.)  International Rectifier Fall Time 67 ns (Typ.)  MOSFET Transistors Fall Time 67 ns (Typ.)  International Rectifier MOSFET Transistors Fall Time 67 ns (Typ.)   Gate Charge, Total 76 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 76 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 76 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 76 nC   Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier Height 0.355" (9.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Operating and Storage Temperature -55 to +175 °C (Max.)  International Rectifier Operating and Storage Temperature -55 to +175 °C (Max.)  MOSFET Transistors Operating and Storage Temperature -55 to +175 °C (Max.)  International Rectifier MOSFET Transistors Operating and Storage Temperature -55 to +175 °C (Max.)   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 170 W  International Rectifier Power Dissipation 170 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 170 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 170 W   Resistance, Drain to Source On 6.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 6.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 6.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 6.5 mΩ   Resistance, Thermal, Junction to Case 0.90 °C?W (Max.)  International Rectifier Resistance, Thermal, Junction to Case 0.90 °C?W (Max.)  MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.90 °C?W (Max.)  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.90 °C?W (Max.)   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET 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V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  
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    IRF3205ZPBF
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    MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

    RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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    IRF3205ZPBF
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    MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg

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    Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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    MOSFET

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    Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF3205ZPBF)

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    Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF3205ZPBF)

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    MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220

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    IRF3205ZPBF
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    Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 110 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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    Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 110 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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    MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 4.9Milliohms, ID 110A, TO-220AB, PD 170W, -55de

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    IRF3205ZPBF
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    MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 170 W

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    型号 制造商 描述 操作
    IRF3205ZPBF
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    Transistor: N-MOSFET, unipolar, 55V, 110A, 170W, TO220AB, HEXFET?

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    International Rectifier - IRF3205ZPBF - -55de PD 170W TO-220AB ID 110A RDS(ON) 4.9Milliohms VDSS 55V N-Ch MOSFET, Power|70016921 | ChuangWei Electronics    		International Rectifier
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 4.9Milliohms; ID 110A; TO-220AB; PD 170W; -55de

    型号：IRF3205ZPBF
    仓库库存编号：70016921

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    制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
    IRF3205ZPBF
    INFINEON IRF3205ZPBF    		8210640

    INFINEON

    晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V

     (EN)    		搜索
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    产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

    Infineon - IRF3205ZPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3205ZPBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
    		制造商零件编号：
    IRF3205ZPBF
    品牌：
    Infineon
    库存编号：
    688-6829
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    Infineon Technologies - IRF3205ZPBF - MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB    		Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
    详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB

    型号：IRF3205ZPBF
    仓库库存编号：IRF3205ZPBF-ND
    别名：*IRF3205ZPBF <br>64-0096PBF <br>64-0096PBF-ND <br>SP001574672 <br>     		无铅搜索
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    IR - IRF3205ZPBF - MOSFET N, 55 V 75 A 170 W TO-220AB, IRF3205ZPBF, IR    		IR
    MOSFET N, 55 V 75 A 170 W TO-220AB, IRF3205ZPBF, IR

    型号：IRF3205ZPBF
    仓库库存编号：171-37-367

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    IRF3205ZPBF|International RectifierIRF3205ZPBF
    International Rectifier    		MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
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