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IRF530NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 90Milliohms; ID 17A; TO-220AB; PD 70W; gFS 12S

International Rectifier IRF530NPBF
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制造商产品编号：
IRF530NPBF
仓库库存编号：
70016965
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IRF530NPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF530NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  920 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  17 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Gate Charge, Total  37 nC  
  Height  0.6" (15.24mm)  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  70 W  
  Resistance, Drain to Source On  90 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  35 ns  
  Time, Turn-On Delay  9.2 ns  
  Transconductance, Forward  12 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 37 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
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Drain 17 A  MOSFET Transistors Current, Drain 17 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 17 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm   Gate Charge, Total 37 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 37 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 37 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 37 nC   Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier Height 0.6" (15.24mm)  MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 70 W  International Rectifier Power Dissipation 70 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 70 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 70 W   Resistance, Drain to Source On 90 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 90 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 90 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 90 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 35 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 35 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 35 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 35 ns   Time, Turn-On Delay 9.2 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 9.2 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 9.2 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 9.2 ns   Transconductance, Forward 12 S  International Rectifier Transconductance, Forward 12 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 12 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 12 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 37 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 37 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 37 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 37 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to 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MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB

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MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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MOSFET, N, 100V, 17A, TO-220

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Single N-Channel 100 V 90 mOhm 37 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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Single N-Channel 100 V 90 mOhm 37 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 90Milliohms, ID 17A, TO-220AB, PD 70W, gFS 12S

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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 70 W

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IRF530NPBF
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 17A, 79W, TO220AB, HEXFET?

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International Rectifier - IRF530NPBF - gFS 12S PD 70W TO-220AB ID 17A RDS(ON) 90Milliohms VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70016965 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 90Milliohms; ID 17A; TO-220AB; PD 70W; gFS 12S

型号：IRF530NPBF
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IRF530NPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF530NPBF		2565832

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 17A, TO-220AB

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IRF530NPBF
INFINEON IRF530NPBF		8648263

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 90 mohm, 10 V, 4 V

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Infineon - IRF530NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF530NPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRF530NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
541-0755
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Infineon Technologies - IRF530NPBF - MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB

型号：IRF530NPBF
仓库库存编号：IRF530NPBF-ND
别名：*IRF530NPBF <br>SP001570120 <br>

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IR - IRF530NPBF - MOSFET N, 100 V 17 A 70 W TO-220AB, IRF530NPBF, IR		IR
MOSFET N, 100 V 17 A 70 W TO-220AB, IRF530NPBF, IR

型号：IRF530NPBF
仓库库存编号：171-14-929

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