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IRF640NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.15Ohm; ID 18A; TO-220AB; PD 150W; VGS +/-20V

International Rectifier IRF640NPBF
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制造商产品编号：
IRF640NPBF
仓库库存编号：
70016972
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IRF640NPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF640NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1160 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Current, Drain  18 A  
  Dimensions  10.67 x 4.83 x 9.02 mm  
  Gate Charge, Total  67 nC  
  Height  0.355" (9.02mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  150 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.15 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  1 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  23 ns  
  Time, Turn-On Delay  10 ns  
  Transconductance, Forward  6.8 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 67 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 1160 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 1160 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 1160 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 1160 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Current, Drain 18 A  International Rectifier Current, Drain 18 A  MOSFET Transistors Current, Drain 18 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 18 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm   Gate Charge, Total 67 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 67 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 67 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 67 nC   Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier Height 0.355" (9.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 150 W  International Rectifier Power Dissipation 150 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 150 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 150 W   Resistance, Drain to Source On 0.15 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.15 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.15 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.15 Ω   Resistance, Thermal, Junction to Case 1 °C/W  International Rectifier Resistance, Thermal, Junction to Case 1 °C/W  MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 1 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 1 °C/W   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET 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MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

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MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220

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Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 0.15Ohm, ID 18A, TO-220AB, PD 150W, VGS +/-20V

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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 150 W

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 18A, 150W, TO220AB, HEXFET?

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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB

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International Rectifier - IRF640NPBF - VGS +/-20V PD 150W TO-220AB ID 18A RDS(ON) 0.15Ohm VDSS 200V N-Ch MOSFET, Power|70016972 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.15Ohm; ID 18A; TO-220AB; PD 150W; VGS +/-20V

型号：IRF640NPBF
仓库库存编号：70016972

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IRF640NPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NPBF		2565839

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220AB

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INFINEON IRF640NPBF		8648379

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 4 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF640NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRF640NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
541-0014
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Infineon - IRF640NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRF640NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
919-4817
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Infineon Technologies - IRF640NPBF - MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB

型号：IRF640NPBF
仓库库存编号：IRF640NPBF-ND
别名：*IRF640NPBF <br>SP001570078 <br>

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IR - IRF640NPBF - MOSFET N, 200 V 18 A 150 W TO-220AB, IRF640NPBF, IR		IR
MOSFET N, 200 V 18 A 150 W TO-220AB, IRF640NPBF, IR

型号：IRF640NPBF
仓库库存编号：171-15-082
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电话:400-900-3095
QQ:800152669
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