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IRFP250NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.075Ohm; ID 30A; TO-247AC; PD 214W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFP250NPBF
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制造商产品编号：
IRFP250NPBF
仓库库存编号：
70017035
技术数据表：
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IRFP250NPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 30A to 39A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFP250NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2159 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  30 A  
  Dimensions  15.90 x 5.30 x 20.30 mm  
  Gate Charge, Total  123 nC  
  Height  0.799" (20.3mm)  
  Length  0.625" <5/8> (15.875mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-247AC  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  214 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.075 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  0.7 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  41 ns  
  Time, Turn-On Delay  14 ns  
  Transconductance, Forward  17 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 123 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.209" (5.3mm)  
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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 2159 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 2159 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 2159 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 2159 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 30 A  International Rectifier Current, Drain 30 A  MOSFET Transistors Current, Drain 30 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 30 A   Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  International Rectifier Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm   Gate Charge, Total 123 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 123 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 123 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 123 nC   Height 0.799" (20.3mm)  International Rectifier Height 0.799" (20.3mm)  MOSFET Transistors Height 0.799" (20.3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.799" (20.3mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 214 W  International Rectifier Power Dissipation 214 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 214 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 214 W   Resistance, Drain to Source On 0.075 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.075 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.075 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.075 Ω   Resistance, Thermal, Junction to Case 0.7 °C/W  International Rectifier Resistance, Thermal, Junction to Case 0.7 °C/W  MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.7 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.7 °C/W   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 41 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 41 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 41 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 41 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Transconductance, Forward 17 S  International Rectifier Transconductance, Forward 17 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 17 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 17 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 123 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 123 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 123 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 123 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V   Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 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IRFP250NPBF
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MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC

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MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

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MOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC

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Single N-Channel 200 V 0.075 Ohm 123 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-247AC

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Single N-Channel 200 V 0.075 Ohm 123 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-247AC

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IRFP250NPBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 0.075Ohm, ID 30A, TO-247AC, PD 214W, VGS +/-20V

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IRFP250NPBF
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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-247 Polarity: N Power dissipation: 214 W

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IRFP250NPBF
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 30A, 214W, TO247AC, HEXFET?

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Infineon Technologies - IRFP250NPBF - MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 214W（Tc） TO-247AC

型号：IRFP250NPBF
仓库库存编号：IRFP250NPBF-ND
别名：*IRFP250NPBF <br>SP001554946 <br>

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IRFP250NPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP250NPBF		2565788

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 30A, TO-247AC

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IRFP250NPBF
INFINEON IRFP250NPBF		8649260

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 4 V

 (EN)		搜索
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRFP250NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250NPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
制造商零件编号：
IRFP250NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
541-0042
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Infineon - IRFP250NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250NPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
制造商零件编号：
IRFP250NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
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International Rectifier - IRFP250NPBF - VGS +/-20V PD 214W TO-247AC ID 30A RDS(ON) 0.075Ohm VDSS 200V N-Ch MOSFET, Power|70017035 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.075Ohm; ID 30A; TO-247AC; PD 214W; VGS +/-20V

型号：IRFP250NPBF
仓库库存编号：70017035

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IR - IRFP250NPBF - MOSFET N, 200 V 30 A 214 W TO-247, IRFP250NPBF, IR		IR
MOSFET N, 200 V 30 A 214 W TO-247, IRFP250NPBF, IR

型号：IRFP250NPBF
仓库库存编号：171-16-767

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IRFP250NPBF|International RectifierIRFP250NPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
Rohs

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