amphenol代理商
专业销售Amphenol（安费诺）全系列产品-英国2号仓库
库存查询
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

IRFPS3810PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.009Ohm; ID 170A; Super-247; PD 580W; gFS 52S

International Rectifier IRFPS3810PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRFPS3810PBF
仓库库存编号：
70017490
技术数据表：
View IRFPS3810PBF Datasheet Datasheet
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IRFPS3810PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  6790 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  170 A  
  Dimensions  16.1 x 5.3 x 20.8 mm  
  Gate Charge, Total  260 nC  
  Height  0.819" (20.8mm)  
  Length  0.633" (16.1mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  Super-247  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  580 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.009 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  45 ns  
  Time, Turn-On Delay  24 ns  
  Transconductance, Forward  52 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  260 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 30 V  
  Width  0.209" (5.3mm)  
关键词         

IRFPS3810PBF相关搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 6790 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 6790 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 6790 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 6790 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 170 A  International Rectifier Current, Drain 170 A  MOSFET Transistors Current, Drain 170 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 170 A   Dimensions 16.1 x 5.3 x 20.8 mm  International Rectifier Dimensions 16.1 x 5.3 x 20.8 mm  MOSFET Transistors Dimensions 16.1 x 5.3 x 20.8 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 16.1 x 5.3 x 20.8 mm   Gate Charge, Total 260 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 260 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 260 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 260 nC   Height 0.819" (20.8mm)  International Rectifier Height 0.819" (20.8mm)  MOSFET Transistors Height 0.819" (20.8mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.819" (20.8mm)   Length 0.633" (16.1mm)  International Rectifier Length 0.633" (16.1mm)  MOSFET Transistors Length 0.633" (16.1mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.633" (16.1mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type Super-247  International Rectifier Package Type Super-247  MOSFET Transistors Package Type Super-247  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type Super-247   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 580 W  International Rectifier Power Dissipation 580 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 580 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 580 W   Resistance, Drain to Source On 0.009 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.009 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.009 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.009 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 45 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 45 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 45 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 45 ns   Time, Turn-On Delay 24 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 24 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 24 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 24 ns   Transconductance, Forward 52 S  International Rectifier Transconductance, Forward 52 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 52 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 52 S   Typical Gate Charge @ Vgs 260 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 260 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 260 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 260 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 30 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 30 V   Width 0.209" (5.3mm)  International Rectifier Width 0.209" (5.3mm)  MOSFET Transistors Width 0.209" (5.3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.3mm)  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
关于我们 | Amphenol简介 | Amphenol产品 | Amphenol产品应用 | Amphenol动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | Amphenol选型手册 | 付款方式 | 联系我们
Copyright © 2017 www.amphenol-connect.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号