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IRFZ44VPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 16.5 Milliohms; ID 55A; TO-220AB; PD 115W; -55de

International Rectifier IRFZ44VPBF
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制造商产品编号：
IRFZ44VPBF
仓库库存编号：
70017246
技术数据表：
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IRFZ44VPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 50A to 59A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFZ44VPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1812 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  55 A  
  Dimensions  10.67 x 4.83 x 16.51 mm  
  Gate Charge, Total  67 nC  
  Height  0.65" (16.51mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  115 W  
  Resistance, Drain to Source On  16.5 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  40 ns  
  Time, Turn-On Delay  13 ns  
  Transconductance, Forward  24 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 67 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  60 V  
  Voltage, Drain to Source  60 V  
  Voltage, Forward, Diode  2.5 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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IRFZ44VPBF相关搜索

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Drain 55 A  MOSFET Transistors Current, Drain 55 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 55 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm   Gate Charge, Total 67 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 67 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 67 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 67 nC   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 115 W  International Rectifier Power Dissipation 115 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 115 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 115 W   Resistance, Drain to Source On 16.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 16.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 16.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 16.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 40 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 40 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 40 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 40 ns   Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 13 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns   Transconductance, Forward 24 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 24 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 24 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 24 sec   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 67 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 67 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 67 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 67 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to 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MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB

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MOSFET MOSFT 60V 55A 16.5mOhm 44.7nC

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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MOSFET, N, 60V, 55A, TO-220

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 16.5 Milliohms, ID 55A, TO-220AB, PD 115W, -55de

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IRFZ44VPBF
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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 115 W

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IRFZ44VPBF
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 55A, 115W, TO220AB, HEXFET?

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Infineon Technologies - IRFZ44VPBF - MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 115W（Tc） TO-220AB

型号：IRFZ44VPBF
仓库库存编号：IRFZ44VPBF-ND
别名：*IRFZ44VPBF <br>SP001571862 <br>

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IRFZ44VPBF
INFINEON IRFZ44VPBF		8650250

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 16.5 mohm, 10 V, 4 V

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IRFZ44VPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ44VPBF		2565811

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 55A TO-220AB

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IRFZ44VPBF|International RectifierIRFZ44VPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB
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Infineon - IRFZ44VPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VPBF, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRFZ44VPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
543-0939
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Infineon - IRFZ44VPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VPBF, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRFZ44VPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
913-3821
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IR - IRFZ44VPBF - MOSFET N, 60 V 55 A 115 W TO-220AB, IRFZ44VPBF, IR		IR
MOSFET N, 60 V 55 A 115 W TO-220AB, IRFZ44VPBF, IR

型号：IRFZ44VPBF
仓库库存编号：171-17-559

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International Rectifier - IRFZ44VPBF - -55de PD 115W TO-220AB ID 55A RDS(ON) 16.5 Milliohms VDSS 60V N-Ch MOSFET, Power|70017246 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 16.5 Milliohms; ID 55A; TO-220AB; PD 115W; -55de

型号：IRFZ44VPBF
仓库库存编号：70017246

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