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IRG4PH50SPBF - 

Pwr MOSFET, 1200V DC-1 KHz (Std.) Discrete IGBT TO-247AC

International Rectifier IRG4PH50SPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRG4PH50SPBF
仓库库存编号：
70017521
技术数据表：
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IRG4PH50SPBF产品概述

Single IGBT over 21A, Infineon
optimized IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. utilizing FRED diodes optimized to provide the best performance with IGBT's

IRG4PH50SPBF产品信息

  Capacitance, Input  3600 pF  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Collector  57 A  
  Current, Drain  57 A  
  Dimensions  15.87 X 5.31 x 20.70 mm  
  Energy Rating  270 mJ  
  Height  0.815" (20.7mm)  
  Length  0.625" <5/8> (15.875mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-247AC  
  Polarity  N-Channel  
  Power Dissipation  200 W  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  0.64 °C/W  
  Speed, Switching  <1 kHz  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  1170 ns  
  Time, Turn-On Delay  32 ns  
  Transconductance, Forward  40 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  167 nC @ 15 V  
  Voltage, Collector to Emitter Shorted  1200 V  
  Voltage, Collector to Emitter, Saturation  1.75 V  
  Voltage, Drain to Source  1200 V  
  Voltage, Gate to Source  ±30 V  
  Width  0.209" (5.31mm)  
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IRG4PH50SPBF相关搜索

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Drain 57 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 57 A   Dimensions 15.87 X 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier Dimensions 15.87 X 5.31 x 20.70 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.87 X 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.87 X 5.31 x 20.70 mm   Energy Rating 270 mJ  International Rectifier Energy Rating 270 mJ  MOSFET Transistors Energy Rating 270 mJ  International Rectifier MOSFET Transistors Energy Rating 270 mJ   Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier Height 0.815" (20.7mm)  MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarity N-Channel  International Rectifier Polarity N-Channel  MOSFET Transistors Polarity N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarity N-Channel   Power Dissipation 200 W  International Rectifier Power Dissipation 200 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W   Resistance, Thermal, Junction to Case 0.64 °C/W  International Rectifier Resistance, Thermal, Junction to Case 0.64 °C/W  MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.64 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.64 °C/W   Speed, Switching <1 kHz  International Rectifier Speed, Switching <1 kHz  MOSFET Transistors Speed, Switching <1 kHz  International Rectifier MOSFET Transistors Speed, Switching <1 kHz   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 1170 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 1170 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 1170 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 1170 ns   Time, Turn-On Delay 32 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 32 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 32 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 32 ns   Transconductance, Forward 40 S  International Rectifier Transconductance, Forward 40 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 40 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 40 S   Typical Gate Charge @ Vgs 167 nC @ 15 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 167 nC @ 15 V  MOSFET Transistors Typical 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IRG4PH50SPBF
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IGBT 1200V 57A 200W TO247AC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRG4PH50SPBF
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IGBT Transistors 1200V DC-1kHz

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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Rail/Tube (Alt: IRG4PH50SPBF)

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IRG4PH50SPBF
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1200V DC-1 KHZ (STANDARD) DISCRETE IGBT IN A TO-247AC PACKAG (Alt: IRG4PH50SPBF)

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1200V DC-1 KHZ (STANDARD) DISCRETE IGBT IN A TO-247AC PACKAG (Alt: IRG4PH50SPBF)

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC (Alt: IRG4PH50SPBFEL)

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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

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IGBT, 1200V, 57A, TO-247AC

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Pwr MOSFET, 1200V DC-1 KHz (Std.) Discrete IGBT TO-247AC

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IRG4PH50SPBF
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IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 1.7 V Current release time: 1000 ns Power dissipation: 200 W

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IRG4PH50SPBF
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Transistor: IGBT, 1200V, 57A, 200W, TO247-3

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International Rectifier - IRG4PH50SPBF - 1200V DC-1 KHz (Std.) Discrete IGBT TO-247AC Pwr MOSFET|70017521 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
Pwr MOSFET, 1200V DC-1 KHz (Std.) Discrete IGBT TO-247AC

型号：IRG4PH50SPBF
仓库库存编号：70017521

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IRG4PH50SPBF|International RectifierIRG4PH50SPBF
International Rectifier		IGBT STD 1200V 57A TO247AC
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IRG4PH50SPBF
INFINEON IRG4PH50SPBF		8650713

INFINEON

单晶体管, IGBT, 57 A, 1.47 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚

 (EN)		搜索
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Infineon - IRG4PH50SPBF - Infineon IRG4PH50SPBF N沟道 IGBT, 57 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
制造商零件编号：
IRG4PH50SPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
541-2098
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IR - IRG4PH50SPBF - IGBT TO-247AC 1200 V 57 A, IRG4PH50SPBF, IR		IR
IGBT TO-247AC 1200 V 57 A, IRG4PH50SPBF, IR

型号：IRG4PH50SPBF
仓库库存编号：171-26-048

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Infineon Technologies - IRG4PH50SPBF - IGBT 1200V 57A 200W TO247AC		Infineon Technologies
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AC

型号：IRG4PH50SPBF
仓库库存编号：IRG4PH50SPBF-ND
别名：*IRG4PH50SPBF <br>SP001533562 <br>

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