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IRL540NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.044Ohm; ID 36A; TO-220AB; PD 140W; VGS +/-16V

International Rectifier IRL540NPBF
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制造商产品编号：
IRL540NPBF
仓库库存编号：
70017094
技术数据表：
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IRL540NPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 30A to 39A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRL540NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1800 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  36 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Gate Charge, Total  74 nC  
  Height  0.6" (15.24mm)  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  140 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.044 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  39 ns  
  Time, Turn-On Delay  11 ns  
  Transconductance, Forward  14 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 74 nC @ 5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±16 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
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IRL540NPBF相关搜索

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Drain 36 A  MOSFET Transistors Current, Drain 36 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 36 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm   Gate Charge, Total 74 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 74 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 74 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 74 nC   Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier Height 0.6" (15.24mm)  MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.6" (15.24mm)   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 140 W  International Rectifier Power Dissipation 140 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 140 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 140 W   Resistance, Drain to Source On 0.044 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.044 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.044 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.044 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 39 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 39 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 39 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 39 ns   Time, Turn-On Delay 11 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 11 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns   Transconductance, Forward 14 S  International Rectifier Transconductance, Forward 14 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 14 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 14 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 74 nC @ 5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 74 nC @ 5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 74 nC @ 5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 74 nC @ 5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 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IRL540NPBF
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MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB

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MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB

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Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRL540NPBF)

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MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220

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Single N-Channel 100 V 0.063 Ohm 74 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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Single N-Channel 100 V 0.063 Ohm 74 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 0.044Ohm, ID 36A, TO-220AB, PD 140W, VGS +/-16V

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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 140 W

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IRL540NPBF
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 100V, 36A, 140W

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International Rectifier - IRL540NPBF - VGS +/-16V PD 140W TO-220AB ID 36A RDS(ON) 0.044Ohm VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70017094 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.044Ohm; ID 36A; TO-220AB; PD 140W; VGS +/-16V

型号：IRL540NPBF
仓库库存编号：70017094

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无图IRL 540NPBF
International Rectifier		原厂原装货
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IRL540NPBF|International RectifierIRL540NPBF
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRL540NPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRL540NPBF		2565905

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 36A, TO-220AB

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IRL540NPBF
INFINEON IRL540NPBF		8651078

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 2 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRL540NPBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL540NPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRL540NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
541-1219
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Infineon - IRL540NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL540NPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRL540NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
919-4882
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Infineon Technologies - IRL540NPBF - MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB

型号：IRL540NPBF
仓库库存编号：IRL540NPBF-ND
别名：*IRL540NPBF <br>SP001576440 <br>

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IR - IRL540NPBF - MOSFET N, 100 V 36 A 140 W TO-220, IRL540NPBF, IR		IR
MOSFET N, 100 V 36 A 140 W TO-220, IRL540NPBF, IR

型号：IRL540NPBF
仓库库存编号：171-18-276

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