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IRLR7843PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 2.6Milliohms; ID 161A; D-Pak (TO-252AA); VF 1V

International Rectifier IRLR7843PBF
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制造商产品编号：
IRLR7843PBF
仓库库存编号：
70017472
技术数据表：
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLR7843TRPBF
库存编号:IRLR7843PBFDKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 161A DPAK15159
1起订		1+
10+
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IRLR7843TRPBF
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IRLR7843TRPBF
库存编号:IRLR7843PBFTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 161A DPAK14000
2000起订		2000+
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IRLR7843PBF
库存编号:IRLR7843PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 161A DPAK0
2000起订		6-10天询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLR7843PBF International Rectifier POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 30A I(D), 30V, 0.0033OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA520
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IRLR7843PBF International Rectifier POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 30A I(D), 30V, 0.0033OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA7
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IRLR7843PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  4380 pF @ 15 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  161 A  
  Dimensions  6.73 x 6.22 x 2.26 mm  
  Gate Charge, Total  34 nC  
  Height  0.089" (2.26mm)  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  DPAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  140 W  
  Resistance, Drain to Source On  4 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  34 ns  
  Time, Turn-On Delay  25 ns  
  Transconductance, Forward  37 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  34 nC @ 4.5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Forward, Diode  1 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.245" (6.22mm)  
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Drain 161 A  MOSFET Transistors Current, Drain 161 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 161 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.26 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.26 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.26 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.26 mm   Gate Charge, Total 34 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 34 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 34 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 34 nC   Height 0.089" (2.26mm)  International Rectifier Height 0.089" (2.26mm)  MOSFET Transistors Height 0.089" (2.26mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.089" (2.26mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 140 W  International Rectifier Power Dissipation 140 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 140 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 140 W   Resistance, Drain to Source On 4 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 4 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 4 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 4 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 34 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 34 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 34 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 34 ns   Time, Turn-On Delay 25 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 25 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 25 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 25 ns   Transconductance, Forward 37 S  International Rectifier Transconductance, Forward 37 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 37 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 37 S   Typical Gate Charge @ Vgs 34 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 34 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 34 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 34 nC @ 4.5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V   Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V   Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  
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MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

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MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC

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MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Rail/Tube (Alt: IRLR7843PBF)

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Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MOSFET, N, LOGIC, D-PAK

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Single N-Channel 30 V 3.3 mOhm 34 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 2.6Milliohms, ID 161A, D-Pak (TO-252AA), VF 1V

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 30V, 161A, 140W, DPAK

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IRLR7843PBF
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRLR7843PBF
INFINEON IRLR7843PBF		1013422

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V

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IRLR7843PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRLR7843PBF		2565749

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 161A, D-PAK

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRLR7843PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7843PBF, 161 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
IRLR7843PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
830-3388
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International Rectifier - IRLR7843PBF - VF 1V D-Pak (TO-252AA) ID 161A RDS(ON) 2.6Milliohms VDSS 30V N-Ch MOSFET, Power|70017472 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 2.6Milliohms; ID 161A; D-Pak (TO-252AA); VF 1V

型号：IRLR7843PBF
仓库库存编号：70017472

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IRLR7843PBF|International RectifierIRLR7843PBF
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