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IRLU024NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.065Ohm; ID 17A; I-Pak (TO-251AA); PD 45W

International Rectifier IRLU024NPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRLU024NPBF
仓库库存编号：
70017115
技术数据表：
View IRLU024NPBF Datasheet Datasheet
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
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IRLU024NPBF
库存编号:IRLU024NPBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 55V 17A IPAK2343
1起订		1+
75+
150+
525+
1050+
2025+
5025+
10050+
￥13.08
￥5.17
￥13.08
￥4.14
￥3.89
￥3.86
￥3.74
￥3.59
6-10天购买 购买
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLU024NPBF
库存编号:942-IRLU024NPBF		 Infineon Technologies AG MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl26695
1起订		1+
10+
25+
100+
500+
1000+
3000+
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￥6.87
￥5.74
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￥3.54
6-10天购买 购买
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLU024NPBF
库存编号:IRLU024NPBF		 Infineon Technologies AG Semiconductors1127
5起订		5+
10+
50+
100+
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￥15.4
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLU024NPBF
库存编号:IRLU024NPBF		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK - Rail/Tube (Alt: IRLU024NPBF)1095
75起订		75+
80+
160+
380+
750+
￥2.85
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IRLU024NPBF
库存编号:63J7671		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK - Bulk (Alt: 63J7671)0
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
￥11.24
￥6.55
￥5.42
￥4.68
￥4.08
1-2周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLU024NPBF
库存编号:85569465		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube2938
2938起订		2938+
6000+
9000+
24000+
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￥3.56
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IRLU024NPBF
库存编号:84859960		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube1127
118起订		118+
￥12.24
1-2周购买 购买
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  新加坡3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLU024NPBF
库存编号:8651329		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, I-PAK 55V 17A3136
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
￥11.61
￥6.85
￥5.75
￥4.89
￥4.77
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  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLU024NPBF
库存编号:IRLU024NPBF		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 55V, 17A, 38W, IPAK0
1起订		1+
10+
75+
150+
375+
525+
750+
1050+
9000+
10050+
￥10.85
￥8.5
￥6.72
￥6.22
￥5.64
￥5.45
￥5.25
￥5.08
￥4.14
￥4.11
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLU024NPBF
库存编号:9133803		 Infineon Technologies AG MOSFET N-Channel 55V 17A IPAK, TU150
75起订		75+
150+
300+
750+
￥6.36
￥6.2
￥6.05
￥5.9
1-3周购买 购买
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IRLU024NPBF
库存编号:5430591		 Infineon Technologies AG MOSFETN55V17AIPAK, EA53
1起订		1+
10+
50+
￥11.09
￥10.92
￥10.66
1-3周购买 购买
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IRLU024NPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRLU024NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  480 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  17 A  
  Dimensions  6.73 x 2.39 x 6.22 mm  
  Gate Charge, Total  15 nC  
  Height  0.245" (6.22mm)  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  I-PAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  45 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.11 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  20 ns  
  Time, Turn-On Delay  7.1 ns  
  Transconductance, Forward  8.3 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 15 nC @ 5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±16 V  
  Width  0.094" (2.39mm)  
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IRLU024NPBF相关搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 480 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 480 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 480 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 480 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain 17 A  International Rectifier Current, Drain 17 A  MOSFET Transistors Current, Drain 17 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 17 A   Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm   Gate Charge, Total 15 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 15 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 15 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 15 nC   Height 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Height 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Height 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.245" (6.22mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type I-PAK  International Rectifier Package Type I-PAK  MOSFET Transistors Package Type I-PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type I-PAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 45 W  International Rectifier Power Dissipation 45 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 45 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 45 W   Resistance, Drain to Source On 0.11 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.11 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.11 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.11 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 20 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 20 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 20 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 20 ns   Time, Turn-On Delay 7.1 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 7.1 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.1 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.1 ns   Transconductance, Forward 8.3 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 8.3 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 8.3 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 8.3 sec   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 15 nC @ 5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 15 nC @ 5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 15 nC @ 5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 15 nC @ 5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V   Width 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Width 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Width 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.094" (2.39mm)  
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IRLU024NPBF
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MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRLU024NPBF
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MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl

RoHS: Compliant

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IRLU024NPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRLU024NPBF
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Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK - Rail/Tube (Alt: IRLU024NPBF)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK (Alt: IRLU024NPBF)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK (Alt: IRLU024NPBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MOSFET, N, 55V, 17A, I-PAK

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Single N-Channel 55 V 0.065 Ohm 15 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-251AA

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Single N-Channel 55 V 0.065 Ohm 15 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-251AA

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.065Ohm, ID 17A, I-Pak (TO-251AA), PD 45W

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型号 制造商 描述 操作
IRLU024NPBF
[更多]		 International Rectifier

Power FET Operating temperature: -55...+175 °C Drive: logic level Housing type: IPAK Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 45 W

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Infineon Technologies - IRLU024NPBF - MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）

型号：IRLU024NPBF
仓库库存编号：IRLU024NPBF-ND
别名：*IRLU024NPBF <br>64-4164PBF <br>64-4164PBF-ND <br>SP001553260 <br>

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRLU024NPBF
INFINEON IRLU024NPBF		8651329

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 65 mohm, 10 V, 2 V

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IRLU024NPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRLU024NPBF		2565894

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 17A, IPAK

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IRLU024NPBF|International RectifierIRLU024NPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
Rohs

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IR - IRLU024NPBF - Power FET IPAK N 55 V 17 A, IRLU024NPBF, IR		IR
Power FET IPAK N 55 V 17 A, IRLU024NPBF, IR

型号：IRLU024NPBF
仓库库存编号：171-39-603

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Infineon - IRLU024NPBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU024NPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
制造商零件编号：
IRLU024NPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
913-3803
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IRLU024NPBF|International RectifierIRLU024NPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
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International Rectifier - IRLU024NPBF - PD 45W I-Pak (TO-251AA) ID 17A RDS(ON) 0.065Ohm VDSS 55V N-Ch MOSFET, Power|70017115 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.065Ohm; ID 17A; I-Pak (TO-251AA); PD 45W

型号：IRLU024NPBF
仓库库存编号：70017115

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