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IRLU3410PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.105Ohm; ID 17A; I-Pak (TO-251AA); PD 79W

International Rectifier IRLU3410PBF
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制造商产品编号：
IRLU3410PBF
仓库库存编号：
70017527
技术数据表：
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLU3410PBF
库存编号:IRLU3410PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 100V 17A IPAK2326
1起订		1+
75+
150+
525+
1050+
2025+
5025+
10050+
￥15.95
￥8.33
￥7.22
￥6.31
￥5.46
￥5.42
￥4.91
￥4.85
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLU3410PBF
库存编号:942-IRLU3410PBF		 Infineon Technologies AG MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv11993
1起订		1+
10+
25+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
￥14.78
￥10.49
￥8.18
￥7.32
￥6.1
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￥4.59
6-10天购买 购买
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRLU3410PBF
库存编号:38K3019		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK - Bulk (Alt: 38K3019)0
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
￥19.55
￥8.93
￥8.09
￥6.79
￥5.79
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IRLU3410PBF
库存编号:IRLU3410PBF		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK - Rail/Tube (Alt: IRLU3410PBF)0
3000起订		3000+
3150+
6150+
15000+
30000+
￥4.06
￥4.01
￥3.96
￥3.91
￥3.86
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRLU3410PBF
库存编号:8660280		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, I-PAK 100V 15A1242
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
5000+
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￥8.8
￥7.34
￥6.6
￥5.26
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IRLU3410PBF
库存编号:IRLU3410PBF		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 15A, 52W, IPAK0
1起订		1+
10+
75+
100+
500+
￥12.57
￥10.14
￥8.32
￥8.08
￥7.9
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IRLU3410PBF International Rectifier 17A, 100V, 0.125OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-251AA92
1起订		1-3周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRLU3410PBF
库存编号:2626787		 Infineon Technologies AG Infineon MOSFET IRLU3410PBF, TU2880
3000起订		3000+
￥5.35
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IRLU3410PBF
库存编号:2626788		 Infineon Technologies AG Infineon MOSFET IRLU3410PBF, PK2880
10起订		10+
50+
100+
250+
1000+
￥8.56
￥7.62
￥7.18
￥10.72
￥9.94
1-3周购买 购买
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IRLU3410PBF
库存编号:2626788P		 Infineon Technologies AG Infineon MOSFET IRLU3410PBF, TU2880
50起订		50+
100+
250+
1000+
￥7.62
￥7.18
￥10.72
￥9.94
1-3周购买 购买
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IRLU3410PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  800 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  17 A  
  Dimensions  6.73 x 2.39 x 6.22 mm  
  Gate Charge, Total  34 nC  
  Height  0.245" (6.22mm)  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  I-PAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  79 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.155 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  30 ns  
  Time, Turn-On Delay  7.2 ns  
  Transconductance, Forward  7.7 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 34 nC @ 5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±16 V  
  Width  0.094" (2.39mm)  
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Rectifier Current, Drain 17 A  MOSFET Transistors Current, Drain 17 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 17 A   Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 2.39 x 6.22 mm   Gate Charge, Total 34 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 34 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 34 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 34 nC   Height 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Height 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Height 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.245" (6.22mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type I-PAK  International Rectifier Package Type I-PAK  MOSFET Transistors Package Type I-PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type I-PAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 79 W  International Rectifier Power Dissipation 79 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 79 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 79 W   Resistance, Drain to Source On 0.155 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.155 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.155 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.155 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 30 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 30 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 30 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 30 ns   Time, Turn-On Delay 7.2 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 7.2 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.2 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.2 ns   Transconductance, Forward 7.7 S  International Rectifier Transconductance, Forward 7.7 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 7.7 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 7.7 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 34 nC @ 5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 34 nC @ 5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 34 nC @ 5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 34 nC @ 5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V   Width 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Width 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Width 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.094" (2.39mm)  
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MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK - Rail/Tube (Alt: IRLU3410PBF)

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Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK (Alt: IRLU3410PBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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MOSFET, N, 100V, 15A, I-PAK

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Single N-Channel 100 V 105 mOhm 34 nC HEXFET? Power Mosfet - IPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRLU3410PBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 0.105Ohm, ID 17A, I-Pak (TO-251AA), PD 79W

RoHS: Compliant

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IRLU3410PBF
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Power FET Operating temperature: -55...+175 °C Drive: logic level Housing type: IPAK Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 79 W

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IRLU3410PBF|International RectifierIRLU3410PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
Rohs

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IRLU3410PBF|International RectifierIRLU3410PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
Rohs

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International Rectifier - IRLU3410PBF - PD 79W I-Pak (TO-251AA) ID 17A RDS(ON) 0.105Ohm VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70017527 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.105Ohm; ID 17A; I-Pak (TO-251AA); PD 79W

型号：IRLU3410PBF
仓库库存编号：70017527

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IRLU3410PBF|International RectifierIRLU3410PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
Rohs

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRLU3410PBF
INFINEON IRLU3410PBF		8660280

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 105 mohm, 10 V, 2 V

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Infineon Technologies - IRLU3410PBF - MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）

型号：IRLU3410PBF
仓库库存编号：IRLU3410PBF-ND
别名：*IRLU3410PBF <br>64-4160PBF <br>64-4160PBF-ND <br>SP001574164 <br>

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IR - IRLU3410PBF - Power FET IPAK N 100 V 15 A, IRLU3410PBF, IR		IR
Power FET IPAK N 100 V 15 A, IRLU3410PBF, IR

型号：IRLU3410PBF
仓库库存编号：170-08-571

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电话:400-900-3095
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