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SI2306BDS-T1-E3 - 

MOSFET, N-Ch., 30 V(D-S), 0.047 Ohm @ 10 V(GS), 4 A, TO-236 (SOT-23)

Siliconix / Vishay SI2306BDS-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SI2306BDS-T1-E3
仓库库存编号：
70026144
技术数据表：
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SI2306BDS-T1-E3
库存编号:SI2306BDS-T1-E3CT-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-37905
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
￥8.23
￥5.16
￥8.23
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￥3.08
6-10天购买 购买
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SI2306BDS-T1-E3
库存编号:SI2306BDS-T1-E3DKR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-37905
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￥8.23
￥3.41
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SI2306BDS-T1-E3
库存编号:SI2306BDS-T1-E3TR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-36000
3000起订		3000+
6000+
9000+
15000+
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￥2.22
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SI2306BDS-T1-BE3
库存编号:78-SI2306BDS-T1-BE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs SOT23 N CHAN 30V28451
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1000+
3000+
6000+
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￥2.26
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SI2306BDS-T1-E3
库存编号:781-SI2306BDS-E3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 30V 4.0A 0.75W26028
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1000+
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6000+
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￥2.03
6-10天购买 购买
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
SI2306BDS-T1-E3
库存编号:SI2306BDS-T1-E3		 Vishay Intertechnologies N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel (Alt: SI2306BDS-T1-E3)3000
3000起订		3000+
6000+
12000+
18000+
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￥2.14
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SI2306BDS-T1-E3
库存编号:65K1920		 Vishay Intertechnologies N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 65K1920)0
1起订		1+
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25+
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￥8.23
￥5.67
￥5.12
￥4.58
￥4.03
1-2周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SI2306BDS-T1-E3
库存编号:69912923		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R6000
3000起订		3000+
￥3.6
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SI2306BDS-T1-E3
库存编号:78958753		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R5300
334起订		334+
500+
1000+
2500+
5000+
￥3.16
￥3.04
￥2.95
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SI2306BDS-T1-E3
库存编号:87285052		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R3000
3000起订		3000+
30000+
￥2.26
￥2.23
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SI2306BDS-T1-E3
库存编号:69920653		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R1260
43起订		43+
100+
250+
500+
1000+
￥2.11
￥2.03
￥2.03
￥1.97
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SI2306BDS-T1-E3
库存编号:1470157		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, SOT-2312211
5起订		5+
50+
100+
500+
1500+
￥5.38
￥4.65
￥3.91
￥2.82
￥2.82
1-2周购买 购买
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SI2306BDS-T1-E3
库存编号:1470157RL		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, SOT-2312211
100起订		100+
500+
1500+
￥3.91
￥2.82
￥2.82
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SI2306BDS-T1-E3
库存编号:SI2306BDS-T1-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFETs 30V 4.0A 0.75W36000
3000起订		3000+
6000+
9000+
15000+
￥2.16
￥2.12
￥2.08
￥2.04
1-3周购买 购买
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SI2306BDS-T1-BE3
库存编号:SI2306BDS-T1-BE3		Vishay IntertechnologiesMOSFETs SOT23 N CHAN 30V18000
3000起订		3000+
6000+
9000+
￥2.6
￥2.55
￥2.5
1-3周购买 购买
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SI2306BDS-T1-E3
库存编号:SI2306BDS-T1-E3		 Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 3.5A, 0.8W, SOT232030
1起订		1+
5+
50+
100+
500+
￥11.43
￥6.97
￥5.85
￥4.62
￥4.12
1-3周购买 购买
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  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SI2306BDS-T1-E3 Vishay Intertechnologies 3160 MA, 30 V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-2362209
1起订		1+
112+
445+
￥16.46
￥8.23
￥6.59
1-3周购买 购买
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SI2306BDS-T1-E3 Vishay Siliconix 3160 MA, 30 V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236128
1起订		1+
10+
45+
￥9.88
￥8.23
￥6.59
1-3周购买 购买
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SI2306BDS-T1-E3产品概述

Features:
  • Halogen-Free Option Available
  • Low-Side Switching
  • Low On-Resistance: 5 Ω
  • Low Threshold: 0.9 V (Typ.)
  • Fast Switching Speed: 35 ns (Typ.)
  • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
  • ESD Protected: 2000 V

    Applications:
  • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
  • Battery Operated Systems
  • Power Supply Converter Circuits
  • Load/Power Switching Cell Phones, Pagers

    • SI2306BDS-T1-E3产品信息

      Brand/Series  SI23 Series  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Single  
      Current, Drain  4 A  
      Dimensions  3.04 x 1.4 x 1.02 mm  
      Fall Time  10 ns  
      Gate Charge, Total  4.5 nC  
      Height  0.04" (1.02mm)  
      Length  0.119" (3.04mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  3  
      Operating and Storage Temperature  -55 to +150 °C  
      Package Type  TO-236  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  1.25 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.065 Ω  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Thermal Resistance, Junction to Ambient  100 °C/W  
      Time, Turn-Off Delay  25 ns  
      Time, Turn-On Delay  11 ns  
      Transconductance, Forward  7 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  14 nC @ -4 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  30 V  
      Voltage, Drain to Source  30 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.055" (1.4mm)  
    关键词         

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Transistors Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm   Fall Time 10 ns  Siliconix / Vishay Fall Time 10 ns  MOSFET Transistors Fall Time 10 ns  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Fall Time 10 ns   Gate Charge, Total 4.5 nC  Siliconix / Vishay Gate Charge, Total 4.5 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 4.5 nC  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Gate Charge, Total 4.5 nC   Height 0.04" (1.02mm)  Siliconix / Vishay Height 0.04" (1.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.04" (1.02mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Height 0.04" (1.02mm)   Length 0.119" (3.04mm)  Siliconix / Vishay Length 0.119" (3.04mm)  MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)   Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  Siliconix / Vishay Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Pins 3   Operating and Storage Temperature -55 to +150 °C  Siliconix / Vishay Operating and Storage Temperature -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Operating and Storage Temperature -55 to +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Operating and Storage Temperature -55 to +150 °C   Package Type TO-236  Siliconix / Vishay Package Type TO-236  MOSFET Transistors Package Type TO-236  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Package Type TO-236   Polarization N-Channel  Siliconix / Vishay Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 1.25 W  Siliconix / Vishay Power Dissipation 1.25 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 1.25 W  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Power Dissipation 1.25 W   Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω  Siliconix / Vishay Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Thermal Resistance, Junction to Ambient 100 °C/W  Siliconix / Vishay Thermal Resistance, Junction to Ambient 100 °C/W  MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 100 °C/W  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 100 °C/W   Time, Turn-Off Delay 25 ns  Siliconix / Vishay Time, Turn-Off Delay 25 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 25 ns  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 25 ns   Time, Turn-On Delay 11 ns  Siliconix / Vishay Time, Turn-On Delay 11 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns   Transconductance, Forward 7 S  Siliconix / Vishay Transconductance, Forward 7 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 7 S  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Transconductance, Forward 7 S   Typical Gate Charge @ Vgs 14 nC @ -4 V  Siliconix / Vishay Typical Gate Charge @ Vgs 14 nC @ -4 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 14 nC @ -4 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 14 nC @ -4 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  Siliconix / Vishay Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V   Voltage, Drain to Source 30 V  Siliconix / Vishay Voltage, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  Siliconix / Vishay Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  Siliconix / Vishay Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.055" (1.4mm)  Siliconix / Vishay Width 0.055" (1.4mm)  MOSFET Transistors Width 0.055" (1.4mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Width 0.055" (1.4mm)  
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    MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

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    MOSFET 30V 4.0A 0.75W

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    SI2306BDS-T1-E3
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    Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2306BDS-T1-E3)

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    Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI2306BDS-T1-E3/BKN)

    RoHS: Not Compliant

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    SI2306BDS-T1-E3
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    Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2306BDS-T1-E3)

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    SI2306BDS-T1-E3
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    Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R

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      新加坡2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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    SI2306BDS-T1-E3
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    MOSFET, N, SOT-23

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    SI2306BDS-T1-E3
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    MOSFET, N, SOT-23

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    SI2306BDS-T1-E3
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    Single N-Channel 30 V 0.047 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

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    SI2306BDS-T1-E3
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    MOSFET, N-Ch., 30 V(D-S), 0.047 Ohm @ 10 V(GS), 4 A, TO-236 (SOT-23)

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    SI2306BDS-T1-E3
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    MOSFET 30V 4.0A 0.75W

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    SI2306BDS-T1-E3
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    3160 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236

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    SI2306BDS-T1-E3
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    3160 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236

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    Vishay Siliconix - SI2306BDS-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3    		Vishay Siliconix
    MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
    详细描述：表面贴装 N 沟道 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

    型号：SI2306BDS-T1-E3
    仓库库存编号：SI2306BDS-T1-E3CT-ND
    别名：SI2306BDS-T1-E3CT <br>

    无铅    		搜索
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    制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
    SI2306BDS-T1-E3
    VISHAY SI2306BDS-T1-E3    		1470157

    VISHAY

    晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V

     (EN)    		搜索
    SI2306BDS-T1-E3
    VISHAY SI2306BDS-T1-E3    		1470157RL

    VISHAY

    晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V

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    产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

    Vishay - SI2306BDS-T1-E3 - Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI2306BDS-T1-E3, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
    		制造商零件编号：
    SI2306BDS-T1-E3
    品牌：
    Vishay
    库存编号：
    710-4676
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    Siliconix / Vishay - SI2306BDS-T1-E3 - TO-236 (SOT-23) 4 A 0.047 Ohm @ 10 V(GS) 30 V(D-S) N-Ch. MOSFET|70026144 | ChuangWei Electronics    		Siliconix / Vishay
    MOSFET, N-Ch., 30 V(D-S), 0.047 Ohm @ 10 V(GS), 4 A, TO-236 (SOT-23)

    型号：SI2306BDS-T1-E3
    仓库库存编号：70026144

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    Siliconix / Vishay - SI2306BDS-T1-E3 - TO-236 (SOT-23) 4 A 0.047 Ohm @ 10 V(GS) 30 V(D-S) N-Ch. MOSFET|70026144 | ChuangWei Electronics    		Siliconix / Vishay
    MOSFET, N-Ch., 30 V(D-S), 0.047 Ohm @ 10 V(GS), 4 A, TO-236 (SOT-23)

    型号：SI2306BDS-T1-E3
    仓库库存编号：70026144

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    SI2306BDS-T1-E3|VISHAYSI2306BDS-T1-E3
    VISHAY    		单 N 沟道 30 V 0.047 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
    Rohs

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    参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
    无图SI2306BDS-T1-E3
    VISHAY    		单 N 沟道 30 V 0.047 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
    Rohs

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    SI2306BDS-T1-E3|Vishay SiliconixSI2306BDS-T1-E3
    Vishay Siliconix    		MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
    Rohs

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    SI2306BDS-T1-E3|Vishay SiliconixSI2306BDS-T1-E3
    Vishay Siliconix    		MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
    Rohs

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