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SI2315BDS-T1-E3 - 

MOSFET, Power; P-Channel; -12 V; 8 V; 3.5 A; 1.25 W; -55 to 150 degC

Siliconix / Vishay SI2315BDS-T1-E3
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制造商产品编号：
SI2315BDS-T1-E3
仓库库存编号：
70026068
技术数据表：
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SI2315BDS-T1-E3
库存编号:SI2315BDS-T1-E3CT-ND		 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-336358
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
￥12.96
￥8.11
￥12.96
￥4.1
￥3.71
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SI2315BDS-T1-E3
库存编号:SI2315BDS-T1-E3DKR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-336358
1起订		6-10天询价 询价
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SI2315BDS-T1-E3
库存编号:SI2315BDS-T1-E3TR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-336000
3000起订		3000+
6000+
9000+
15000+
21000+
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￥2.97
￥3.21
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SI2315BDS-T1-BE3
库存编号:78-SI2315BDS-T1-BE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs SOT23 P CHAN 1.8V187069
1起订		1+
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100+
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1000+
3000+
6000+
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SI2315BDS-T1-E3
库存编号:SI2315BDS-T1-E3		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2315BDS-T1-E3)0
3000起订		3000+
6000+
12000+
18000+
24000+
￥2.56
￥2.54
￥2.5
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￥2.43
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SI2315BDS-T1-E3
库存编号:86214392		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R122976
31起订		31+
100+
500+
1000+
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￥3.92
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SI2315BDS-T1-E3
库存编号:1470105RL		 Vishay Intertechnologies  
RoHS: Compliant
Min Qty: 100
Container: Reel
0
100起订		100+
500+
1000+
5000+
￥4.4
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￥3.3
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SI2315BDS-T1-E3
库存编号:1470105		 Vishay Intertechnologies  
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
0
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
5000+
￥6.36
￥5.26
￥4.4
￥3.91
￥3.43
￥3.3
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(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SI2315BDS-T1-BE3
库存编号:SI2315BDS-T1-BE3		Vishay IntertechnologiesMOSFETs SOT23 P CHAN 1.8V6000
3000起订		3000+
6000+
9000+
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￥2.82
￥2.77
￥2.71
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SI2315BDS-T1-E3
库存编号:SI2315BDS-T1-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFETs 1.8V 3.2A 1.25W0
3000起订		3000+
21000+
￥2.52
￥2.46
1-3周询价 询价
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(工作日)		 操作
SI2315BDS-T1-E3
库存编号:SI2315BDS-T1-E3		 Vishay Intertechnologies Transistor: P-MOSFET, unipolar, -12V, -3A, 1.19W, SOT23574
1起订		1+
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
￥6.61
￥5.72
￥4.36
￥3.82
￥3.75
￥3.31
￥3.02
1-3周购买 购买
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  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SI2315BDS-T1-E3 Vishay Intertechnologies SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3A I(D), 12V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-236AB3632
1起订		1+
219+
1213+
￥10.06
￥3.02
￥2.62
1-3周购买 购买
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SI2315BDS-T1-E3 Vishay Intertechnologies SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3A I(D), 12V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-236AB1740
1起订		1+
177+
706+
￥10.37
￥5.19
￥4.15
1-3周购买 购买
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SI2315BDS-T1-E3产品概述

Features:
  • Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition
  • TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated
  • Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life
  • New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

    Applications:
  • Load/Power Switching in Portable Devices

    • SI2315BDS-T1-E3产品信息

      Brand/Series  SI23 Series  
      Capacitance, Input  715 pF @ 6 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  P  
      Configuration  Single  
      Current, Drain  -2.45 A  
      Dimensions  3.04 x 1.4 x 1.02 mm  
      Height  0.04" (1.02mm)  
      Length  0.119" (3.04mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  3  
      Package Type  TO-236  
      Power Dissipation  0.75 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.1 Ω  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Time, Turn-Off Delay  50 ns  
      Time, Turn-On Delay  15 ns  
      Transconductance, Forward  7 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  8 nC @ -6 V  
      Voltage, Drain to Source  -12 V  
      Voltage, Forward, Diode  -1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±8 V  
      Width  0.055" (1.4mm)  
    关键词         

    SI2315BDS-T1-E3相关搜索

    Brand/Series SI23 Series  Siliconix / Vishay Brand/Series SI23 Series  MOSFET Transistors Brand/Series SI23 Series  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Brand/Series SI23 Series   Capacitance, Input 715 pF @ 6 V  Siliconix / Vishay Capacitance, Input 715 pF @ 6 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 715 pF @ 6 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Capacitance, Input 715 pF @ 6 V   Channel Mode Enhancement  Siliconix / Vishay Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type P  Siliconix / Vishay Channel Type P  MOSFET Transistors Channel Type P  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Channel Type P   Configuration Single  Siliconix / Vishay Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain -2.45 A  Siliconix / Vishay Current, Drain -2.45 A  MOSFET Transistors Current, Drain -2.45 A  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Current, Drain -2.45 A   Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm  Siliconix / Vishay Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.02 mm   Height 0.04" (1.02mm)  Siliconix / Vishay Height 0.04" (1.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.04" (1.02mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Height 0.04" (1.02mm)   Length 0.119" (3.04mm)  Siliconix / Vishay Length 0.119" (3.04mm)  MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Length 0.119" (3.04mm)   Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  Siliconix / Vishay Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-236  Siliconix / Vishay Package Type TO-236  MOSFET Transistors Package Type TO-236  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Package Type TO-236   Power Dissipation 0.75 W  Siliconix / Vishay Power Dissipation 0.75 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 0.75 W  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Power Dissipation 0.75 W   Resistance, Drain to Source On 0.1 Ω  Siliconix / Vishay Resistance, Drain to Source On 0.1 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.1 Ω  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.1 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 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Transistors Transconductance, Forward 7 S   Typical Gate Charge @ Vgs 8 nC @ -6 V  Siliconix / Vishay Typical Gate Charge @ Vgs 8 nC @ -6 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 8 nC @ -6 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 8 nC @ -6 V   Voltage, Drain to Source -12 V  Siliconix / Vishay Voltage, Drain to Source -12 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -12 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -12 V   Voltage, Forward, Diode -1.2 V  Siliconix / Vishay Voltage, Forward, Diode -1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V   Voltage, Gate to Source ±8 V  Siliconix / Vishay Voltage, Gate to Source ±8 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±8 V  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±8 V   Width 0.055" (1.4mm)  Siliconix / Vishay Width 0.055" (1.4mm)  MOSFET Transistors Width 0.055" (1.4mm)  Siliconix / Vishay MOSFET Transistors Width 0.055" (1.4mm)  
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    型号 制造商 描述 操作
    SI2315BDS-T1-E3
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    MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

    RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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    SI2315BDS-T1-E3
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    MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

    RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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    MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

    RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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      美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
    型号 制造商 描述 操作
    SI2315BDS-T1-E3
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    MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W

    RoHS: Compliant

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    MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W

    RoHS: Not compliant

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    型号 制造商 描述 操作
    SI2315BDS-T1-E3
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    Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2315BDS-T1-E3)

    RoHS: Compliant

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    Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2315BDS-T1-E3)

    RoHS: Not Compliant

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    Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin TO-236 T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI2315BDS-T1-E3/BKN)

    RoHS: Not Compliant

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    型号 制造商 描述 操作
    SI2315BDS-T1-E3
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    MOSFET, P, -12V, -3.85A, SOT-23

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    MOSFET, P, -12V, -3.85A, SOT-23

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    型号 制造商 描述 操作
    SI2315BDS-T1-E3
    [更多]    		 Vishay Intertechnologies

    Single P-Channel 12 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

    RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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    型号 制造商 描述 操作
    SI2315BDS-T1-E3
    [更多]    		 Vishay Siliconix

    MOSFET, Power, P-Channel, -12 V, 8 V, 3.5 A, 1.25 W, -55 to 150 degC

    RoHS: Compliant

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    型号 制造商 描述 操作
    SI2315BDS-T1-E3
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    MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W

    RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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    SI2315BDS-T1-E3
    [更多]    		 Vishay Semiconductors  

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    SI2315BDS-T1-E3|VISHAYSI2315BDS-T1-E3
    VISHAY    		单 P 沟道 12 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
    Rohs

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    Siliconix / Vishay - SI2315BDS-T1-E3 - -55 to 150 degC 1.25 W 3.5 A 8 V -12 V P-Channel MOSFET, Power|70026068 | ChuangWei Electronics    		Siliconix / Vishay
    MOSFET, Power; P-Channel; -12 V; 8 V; 3.5 A; 1.25 W; -55 to 150 degC

    型号：SI2315BDS-T1-E3
    仓库库存编号：70026068

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    无图SI2315BDS-T1-E3
    VISHAY    		单 P 沟道 12 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
    Rohs

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    SI2315BDS-T1-E3|Vishay SiliconixSI2315BDS-T1-E3
    Vishay Siliconix    		MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
    Rohs

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    SI2315BDS-T1-E3|Vishay SiliconixSI2315BDS-T1-E3
    Vishay Siliconix    		MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
    Rohs

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    Vishay Siliconix - SI2315BDS-T1-E3 - MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3    		Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
    详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

    型号：SI2315BDS-T1-E3
    仓库库存编号：SI2315BDS-T1-E3CT-ND
    别名：SI2315BDS-T1-E3CT <br>

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    SI2315BDS-T1-E3
    VISHAY SI2315BDS-T1-E3    		1470105

    VISHAY

    晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mV

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    SI2315BDS-T1-E3
    VISHAY SI2315BDS-T1-E3    		1470105RL

    VISHAY

    晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mV

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