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SI2319DS-T1-E3 - 

TRANS MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-PIN SOT-23T/R

Siliconix / Vishay SI2319DS-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SI2319DS-T1-E3
仓库库存编号：
70026411
技术数据表：
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SI2319DS-T1-E3
库存编号:SI2319DS-T1-E3CT-ND		 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-389932
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
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￥8.81
￥14.08
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￥4.06
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SI2319DS-T1-E3
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SI2319DS-T1-E3
库存编号:SI2319DS-T1-E3TR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-387995
3000起订		3000+
6000+
9000+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SI2319DS-T1-E3
库存编号:781-SI2319DS-T1-E3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V171166
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
SI2319DS-T1-E3
库存编号:87628782		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R51000
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(工作日)		 操作
SI2319DS-T1-E3
库存编号:1838990RL		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, P, 40V, 2.3A, SOT23-347626
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SI2319DS-T1-E3
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SI2319DS-T1-BE3
库存编号:SI2319DS-T1-BE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs SOT23 P CHAN 40V0
3000起订		1-3周询价 询价
SI2319DS-T1-E3
库存编号:SI2319DS-T1-E3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V0
3000起订		1-3周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
SI2319DS-T1-E3
库存编号:SI2319DS-T1-E3		 Vishay Intertechnologies Transistor: P-MOSFET, TrenchFET?, unipolar, -40V, -2.4A, Idm: -12A2852
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25+
100+
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  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
SI2319DS-T1-E3 Vishay Siliconix 2300 MA, 40 V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-2366002
1起订		1+
693+
3103+
￥11.32
￥4.72
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1-3周购买 购买
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  香港8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SI2319DS-T1-E3 Vishay Intertechnologies RoHS (ship within 1day) - D/C 20232950
1起订		1+
20+
50+
100+
300+
500+
￥14.01
￥9.25
￥6.82
￥5.99
￥5.46
￥5.35
1-3周购买 购买
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SI2319DS-T1-E3产品概述

Features:
  • Halogen-Free Option Available
  • Low-Side Switching
  • Low On-Resistance: 5 Ω
  • Low Threshold: 0.9 V (Typ.)
  • Fast Switching Speed: 35 ns (Typ.)
  • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
  • ESD Protected: 2000 V

    Applications:
  • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
  • Battery Operated Systems
  • Power Supply Converter Circuits
  • Load/Power Switching Cell Phones, Pagers

    • SI2319DS-T1-E3产品信息

      Brand/Series  SI23 Series  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  P  
      Configuration  Single  
      Current, Drain  -1.85 A  
      Dimensions  3.04 x 1.4 x 1.02 mm  
      Height  0.04" (1.02mm)  
      Length  0.119" (3.04mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  3  
      Package Type  TO-236  
      Power Dissipation  0.75 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.13 Ω  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Time, Turn-Off Delay  25 ns  
      Time, Turn-On Delay  15 ns  
      Transconductance, Forward  7 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  11.3 nC @ -10 V  
      Voltage, Drain to Source  -40 V  
      Voltage, Forward, Diode  -1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.055" (1.4mm)  
    关键词         

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    MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

    RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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    MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V

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    Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI2319DS-T1-E3/BKN)

    RoHS: Compliant

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    Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2319DS-T1-E3)

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    Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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    SI2319DS-T1-E3
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    Single P-Channel 40 V 82 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

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    SI2319DS-T1-E3
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    Single P-Channel 40 V 82 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

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    SI2319DS-T1-E3
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    TRANS MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-PIN SOT-23 T/R

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    SI2319DS-T1-E3
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    MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V

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    Siliconix / Vishay - SI2319DS-T1-E3 - TRANS MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-PIN SOT-23T/R|70026411 | ChuangWei Electronics    		Siliconix / Vishay
    TRANS MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-PIN SOT-23T/R

    型号：SI2319DS-T1-E3
    仓库库存编号：70026411

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    SI2319DS-T1-E3|VISHAYSI2319DS-T1-E3
    VISHAY    		单 P沟道 40 V 82 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - TO-236
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    无图SI2319DS-T1-E3
    VISHAY    		单 P沟道 40 V 82 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - TO-236
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    Vishay Siliconix    		MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
    Rohs

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    SI2319DS-T1-E3
    VISHAY SI2319DS-T1-E3    		1838990

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    晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -40 V, 0.065 ohm, -10 V, -3 V

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    VISHAY SI2319DS-T1-E3    		2371827

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    场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 3A, TO-236, 整卷

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    VISHAY SI2319DS-T1-E3    		1838990RL

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    晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -40 V, 0.065 ohm, -10 V, -3 V

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    SI2319DS-T1-E3|Vishay SiliconixSI2319DS-T1-E3
    Vishay Siliconix    		MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
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    Vishay Siliconix - SI2319DS-T1-E3 - MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3    		Vishay Siliconix
    MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
    详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

    型号：SI2319DS-T1-E3
    仓库库存编号：SI2319DS-T1-E3CT-ND
    别名：SI2319DS-T1-E3CT <br>

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