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IRFD110PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.54Ohm; ID 1A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-20V; VF 2.

Vishay PCS IRFD110PBF
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制造商产品编号：
IRFD110PBF
仓库库存编号：
70078892
技术数据表：
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IRFD110PBF产品信息

  Brand/Series  IRF Series  
  Capacitance, Input  180 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  1 A  
  Dimensions  6.29 x 5 x 3.37 mm  
  Gate Charge, Total  8.3 nC  
  Height  0.133" (3.37mm)  
  Length  0.247" (6.29mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  4  
  Package Type  HVMDIP  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  1.3 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.54 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  15 ns  
  Time, Turn-On Delay  6.9 ns  
  Transconductance, Forward  0.8 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 8.3 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  2.5 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.197" (5mm)  
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x 3.37 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.29 x 5 x 3.37 mm  Vishay PCS MOSFET Transistors Dimensions 6.29 x 5 x 3.37 mm   Gate Charge, Total 8.3 nC  Vishay PCS Gate Charge, Total 8.3 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 8.3 nC  Vishay PCS MOSFET Transistors Gate Charge, Total 8.3 nC   Height 0.133" (3.37mm)  Vishay PCS Height 0.133" (3.37mm)  MOSFET Transistors Height 0.133" (3.37mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Height 0.133" (3.37mm)   Length 0.247" (6.29mm)  Vishay PCS Length 0.247" (6.29mm)  MOSFET Transistors Length 0.247" (6.29mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Length 0.247" (6.29mm)   Mounting Type Through Hole  Vishay PCS Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  Vishay PCS MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 4  Vishay PCS Number of Pins 4  MOSFET Transistors Number of Pins 4  Vishay PCS MOSFET Transistors Number of Pins 4   Package Type HVMDIP  Vishay PCS Package Type HVMDIP  MOSFET Transistors Package Type HVMDIP  Vishay PCS MOSFET Transistors Package Type HVMDIP   Polarization N-Channel  Vishay PCS Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  Vishay PCS MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 1.3 W  Vishay PCS Power Dissipation 1.3 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 1.3 W  Vishay PCS MOSFET Transistors Power Dissipation 1.3 W   Resistance, Drain to Source On 0.54 Ω  Vishay PCS Resistance, Drain to Source On 0.54 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.54 Ω  Vishay PCS MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.54 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  Vishay PCS Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  Vishay PCS MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 15 ns  Vishay PCS Time, Turn-Off Delay 15 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 15 ns  Vishay PCS MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 15 ns   Time, Turn-On Delay 6.9 ns  Vishay PCS Time, Turn-On Delay 6.9 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 6.9 ns  Vishay PCS MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 6.9 ns   Transconductance, Forward 0.8 S  Vishay PCS Transconductance, Forward 0.8 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 0.8 S  Vishay PCS MOSFET Transistors Transconductance, Forward 0.8 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 8.3 nC @ 10 V  Vishay PCS Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 8.3 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 8.3 nC @ 10 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 8.3 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  Vishay PCS Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  Vishay PCS Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 2.5 V  Vishay PCS Voltage, Forward, Diode 2.5 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 2.5 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 2.5 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  Vishay PCS Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  Vishay PCS MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.197" (5mm)  Vishay PCS Width 0.197" (5mm)  MOSFET Transistors Width 0.197" (5mm)  Vishay PCS MOSFET Transistors Width 0.197" (5mm)  
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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
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MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFD110PBF
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MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET

RoHS: Compliant

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IRFD110PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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IRFD110PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP - Bulk (Alt: IRFD110PBF)

RoHS: Not Compliant

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IRFD 110PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP

RoHS: Compliant

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IRFD110PBF
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MOSFET,N CHAN, 100V, 1A, DIP

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
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Single N-Channel 60 V 0.54 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Semiconductors

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 0.54Ohm, ID 1A, HD-1, PD 1.3W, VGS +/-20V, VF 2.

RoHS: Compliant

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IRFD110PBF
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100V Single N-Channel HEXFET

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: HEXDIP Polarity: N Power dissipation: 1.3 W

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型号 制造商 描述 操作
IRFD110PBF
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1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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IRFD110PBF
[更多]		 International Rectifier

1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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Vishay PCS - IRFD110PBF - VF 2. VGS +/-20V PD 1.3W HD-1 ID 1A RDS(ON) 0.54Ohm VDSS 100V N-Ch MOSFET, Power|70078892 | ChuangWei Electronics		Vishay PCS
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.54Ohm; ID 1A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-20V; VF 2.

型号：IRFD110PBF
仓库库存编号：70078892

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Siliconix / Vishay - IRFD110PBF - 100V Single N-Channel HEXFET|70459443 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
100V Single N-Channel HEXFET

型号：IRFD110PBF
仓库库存编号：70459443

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Vishay Siliconix - IRFD110PBF - MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

型号：IRFD110PBF
仓库库存编号：IRFD110PBF-ND
别名：*IRFD110PBF <br>

无铅		搜索
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Vishay - IRFD110PBF - MOSFET N, 100 V 1.3 A 1.3 W HEXDIP, IRFD110PBF, Vishay		Vishay
MOSFET N, 100 V 1.3 A 1.3 W HEXDIP, IRFD110PBF, Vishay

型号：IRFD110PBF
仓库库存编号：171-07-429

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无图IRFD 110PBF
VISHAY		原厂原装货
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IRFD110PBF|VISHAYIRFD110PBF
VISHAY		单 N 沟道 60 V 0.54 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4
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IRFD110PBF...
VISHAY IRFD110PBF...		1653666

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V

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无图IRFD110PBF
VISHAY		单 N 沟道 60 V 0.54 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4
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IRFD110PBF|Vishay SemiconductorsIRFD110PBF
Vishay Semiconductors		MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
Rohs

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IRFD110PBF|Vishay SiliconixIRFD110PBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Rohs

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IRFD110PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRFD110PBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N DIL
Rohs

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IRFD110PBF|Vishay SiliconixIRFD110PBF
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Rohs

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电话:400-900-3095
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